鈞鈞 發達集團副總裁
來源:實力養成   發佈於 2024-09-18 11:55

汎銓柳紀綸:超前布局未來3到10年材料分析技術(4-2)

專訪》【時報記者張漢綺台北報導】問:好的材料分析公司需具備哪些技術能力?汎銓(6830)在材料分析的技術優勢? 答:好的材料分析公司不僅要有領先的技術能力,最重要的是要能持續研發出有絕對競爭優勢的技術;汎銓長期以來透過與國外研發平台、學術研究單位聯繫互動的機會,做分析技術研發方向的判斷,超前布局半導體元件未來3到10年的發展路徑所需的驗證分析技術。 例如:GAA結構元件,我們在2019年就已經完成相關的分析技術準備,在我們的大客戶2022年向我們提出分析需求時,我們已經準備好完整的分析技術與產能,當時客戶對於我們的GAA分析服務十分滿意。最近的例子是,在今年初,光阻液廠家在美國的SPIE會議報告High NA EUV光阻的研究進展,報告中使用的高解析度TEM 照片就是多年來與汎銓合作的成果。經由提早與全球最領先的技術平台合作,我們早已參與下一世代High NA EUV曝光機使用MOR(金屬層氧化物)EUV光阻的研發,建立相關分析設備與工法。 目前汎銓在材料分析的技術優勢,包含低溫原子層鍍膜、導電膠與原子層導電膜,這幾項是屬於有絕對競爭優勢的技術,用來解決EUV光阻與LK材料的分析難處;而全新結構的2nm的GAA樣品,則需要超薄試片製備與自動量測等分析技術,這些技術都是客戶依賴汎銓的特殊工法技術,且汎銓早已建立完整的專利保護。 問:隨著半導體技術製程推進,材料分析有那些新挑戰?汎銓如何因應? 答:半導體產業持續追求PPAC的提昇;新的製程相對於前一代的製程,在效能、功耗、面積、成本要有一定的優勢,這樣才能算是新的製程節點,而要達到這些好處,要採用新的設備、新的材料跟新的製程參數來達成。28奈米以前使用傳統平面MOSFET,到16奈米之後採用MOSFET,2奈米採用GAA結構,除了尺寸縮小、堆疊結構不同以外,這些電晶體用的材料,以及他們彼此之間互連的線路,也逐漸採用更新的導體與絕緣層材料。在每一個世代節點的製程開發時,被要求去分析這些不同的新材料,以及越來越小的複雜結構,對於材料分析公司來說,就是一個新的機會以及挑戰。舉例來說,在7奈米之後,EUV一次曝光取代DUV多重曝光,有諸多好處,所以越來越多EUV曝光被應用在更新的製程節點上。然而EUV光阻天性鬆軟,容易受到離子、電子損傷而形變甚至坍塌。 進行TEM觀察時,就需要汎銓獨特的低溫ALD形成保護膜來保護,在分析的時候能夠不變形,能夠維持原來的樣貌。另外,為了降低後段金屬繞線的RC delay,最先進的半導體製程,採用越來越低K值的Low K材料來做絕緣層,也因為這樣Low K材料內充滿空隙,在離子束與電子束進行樣品切割及觀察時,會造成材料的高度減少,這樣的人為誤差,會造成製程研發人員的誤判。 汎銓的低溫ALD、導電膠、原子層導電膜的技術專利可以克服這樣的人為誤差,真實的呈現樣品原來的高度,讓客戶可以看到真實的情況,而不會誤導他走錯方向。半導體製程未來還是會持續的去追求PPA的提升,一樣會應用到新的材料跟越來越細微的結構;對汎銓來說,這個挑戰是持續下去的,也會持續克服這些材料分析的挑戰,持續在先進製程研發之中扮演領航者的角色。(4-2)

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