【經濟日報╱記者簡永祥／台北報導】 2010.12.13 03:57 am
利基型DDR2動態隨機存取記憶體（DRAM）及儲存型快閃記憶體（NAND Flash）觸底反彈，業者預期有助主流DDR3標準型DRAM跌勢趨緩，相關記憶體族群可望接棒，吹起反彈號角。
法人表示，DRAM及NAND Flash價格破底利空逐漸出盡，產業鏈全面受惠，從設計商鈺創（5351）、晶豪科（3006），晶片廠南科（2408）、華亞科（3474）、力晶（5346），以及通路商增你強（3028）、至上（8112），封測廠力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）等，可望擺脫股價低迷頹勢，族群整體上演反彈攻勢。
根據集邦科技（Trendforce）旗下DRAMeXchange近期最新報價，1Gb DDR2已由每顆1.26美元彈升到日前的1.44美元；有效測試顆粒（eTT）報價也漲到1.46美元，月初以來漲幅已逾一成。
NAND Flasn和固態硬碟等快閃記憶體等漲勢也相當可觀，10日單日漲幅在2.6%到4.5%不等。
DRAM業者表示，主流DDR3 DRAM第四季報價仍看跌，隨著業者調整產能降低標準型比重、甚至主要大廠如爾必達（Elpida）、力晶（5346）等大廠明年第一季減產效益顯現，加上採用英特爾新晶片的筆記型電腦（NB）及桌上型電腦（DT）出始出貨下，將逐步觸底或是反彈。
非主流規模的利基型記憶體廠和NAND Flash則將率先露出曙光，主因大廠產能移轉或部分生產廠產能停頓，加上智慧型手機、3D液晶電視及機上盒應用需求逐步提升，帶來向上轉折的契機。
法人看好近期整體記憶體族群，在非主流的DDR2領域及NAND Flash因主力大廠東芝跳電產出受阻而同步上漲下，有助衝淡產業淡季，族群也有利空出盡意味。
其中以利基型比重較高的華邦、威剛、勁永、增你強、志遠、福懋科、力積，和未來生產成本可望有效降低的南科、華亞科等，短線股價具反彈氣勢。