【時報-台北電】據外電報導，南韓記憶體大廠三星的V-NAND（即3D NAND）發展計畫有新進展，將在2024年生產超過300層的第九代V-NAND記憶體，這將是業界最高層數，有望超車競爭對手SK海力士。　SK海力士及三星分別將於10月26日及10月31日公布最新財報，兩家公司營運現況及新產品推出進度，將引起市場矚目。　根據外電報導，三星總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee在其部落格中寫道，第九代V-NAND基於雙層結構，層數將達到業界最高水準，將於2024年初量產。　三星正開發超過300層的第九代V-NAND，仍以三星2020年首次採用的雙層堆疊技術，顯示非揮發性記憶體步入正軌，其層數有望超過競爭對手。　Jung-Bae Lee在其部落格中指出，三星還在研究下一代具價值的技術，包括最大限度提高V-NAND輸入／輸出（I／O）速度的新結構。　根據外媒報導，三星在即將推出的SSD中，將會使用這種記憶體。　SK海力士8月宣布，新321層堆疊4D NAND Flash快閃記憶體樣品，成為業界首間開發完成300層以上堆疊NAND Flash公司。但從三星最新進度可知，三星有望超車SK海力士，並擁有更多記憶體層數。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)