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DRAM封測廠 業績旺到明年Q3
2009-10-14 工商時報 【涂志豪／台北報導】
DRAM價格急漲至2美元以上，國內外DRAM廠不僅將產能利用率由第三季七成提高到第四季的九成，製程微縮速度也加速，包括三星、美光、海力士等陣營，已開始以50奈米投產，爾必達也積極微縮至60奈米以下。由於製程微縮加上DDR3投片量大增，封測產能年底前已確定供不應求，加上價格順利調漲，包括力成（6239）、福懋科（8131）、華東（8110）等均展開大擴產計劃，業績可望逐季成長至明年第三季。
DRAM價格持續飆漲，對後段封測廠可說是一大利多，因為上游DRAM廠現金流量轉正後，更有利於DDR3世代接單平均價格（ASP）調漲。業者表示，DDR3封裝需改成晶片尺寸封裝（CSP），單顆晶粒平均報價約0.25美元，與DDR2採用的閘球陣列封裝（BGA）僅報價0.15美元相較，價格就上漲了逾6成。
測試端則需更大的投資。DRAM測試一般包括功能測試及速度測試，現有舊機台可以支援功能測試，但當DRAM世代交替至DDR3後，時脈速度高達1066MHz至1333MHz，業者需要購買新測試機台，才能配合DRAM廠大量出貨。
此外，目前DRAM廠主流的70奈米顆粒測試時間約400秒至450秒，但隨著微縮製程至50奈米，測試時間拉長至800秒至900秒間，加上製程由70奈米微縮到50奈米後，單片晶圓產出將增加80％。所以在測試時間拉長、單位產出量大增近一倍的情況下，不僅單顆測試均價將由0.1美元漲到0.15美元，現有封測產能亦無法因應需求，業者當然得展開大擴產計劃。