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台積 富士通 攜手28奈米製程
預計明年底出貨 領先業界邁入新世代
2009年08月28日蘋果日報
【蕭文康╱台北報導】台積電（2330）在28奈米先進製程發展再傳捷報，昨與日本富士通微電子(Fujitsu Microelectronics Ltd.)共同宣布，雙方將以台積電先進技術平台為基礎，針對富士通微電子的28奈米邏輯IC（Integrated Circuit，積體電路）產品進行生產、共同開發並強化28奈米高效能製程，首批28奈米工程樣品預計明年底出貨。
富士通微電子常務執行董事八木春良（Haruyoshi Yagi）表示，先前宣布與台積電在40奈米製程技術的合作正快速進展中，「目前已有好幾個產品已進入實體設計階段」。
40奈米合作進行中
日本富士通微電子在今年4月30日宣布，將擴展40奈米邏輯晶片世代至台積電生產，當時雙方也同意在28奈米及以下的高效能製程技術展開進一步討論，市場人士表示，由於日本富士通微電子上年度虧損高達600億日圓（約210.7億元台幣），因此決定放棄在次世代的研發費用以降低成本，轉而與台積電等公司合作。
台積電則早在去年9月底即預告，將28奈米製程定位在全世代製程後，著重在中央處理器、繪圖晶片處理器及可程式邏輯閘陣列等高效能產品研發上，在去年底推出晶圓共乘服務（CyberShuttle）給客戶進行產品試製後，代表台積電早已接獲一些客戶定單，日本富士通微電子則是第1家公開在台積投片生產28奈米的公司，具指標意義。
技術進入成熟階段
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法人指出，台積電日前在40奈米良率上曾摔了一跤，為扭轉困境找回客戶信心，近日來持續發表28奈米最新進度，宣示其先進製程在全球半導體界的強大競爭力。
由於台積電28泛奈米製程技術已發展至成熟階段，明年台積電將領先業界進入28奈米世代，包括28奈米64Mb SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體）、28奈米高效能高介電層╱金屬閘（簡稱28HP）、低耗電高介電層╱金屬閘（28HPL）與低耗電氮氧化矽（28LP）等，預計在2010年第1季至第3季分別試產。