台積 28奈米亮相
【經濟日報╱記者陳碧珠／台北報導】 2009.06.18 02:46 am
台積電（2330）昨（17）日領先同業，宣布推出28奈米低耗電技術，台積電竹科晶圓12廠第四期，已開始投入22奈米的研發，依照製程藍圖，年底32奈米將量產，28奈米預計2010年第一季問世，領先IBM聯盟。
台積電今日在新竹舉行「2009台積技術論壇」，回任總執行長的董事長張忠謀將開場致詞，接著由全球業務行銷副總以「Corporate overview and business update」對客戶進行演講，一般認為，這是張忠謀回任CEO第一場面對客戶的活動，有可能在開放創新平台（OIP）之上，釋出更新業務策略。
台積電昨日宣布28奈米有低耗電（28LP）技術，業界認為，低耗電量製程，通常用於對漏電高度敏感的產品如通訊及行動產品，高通、博通等大廠該是潛在客戶，台積研究暨發展副總孫元成表示，此一進展要歸功於客戶和台積密切合作。
台積電同時指出，28奈米低耗電的推出，同時配合雙╱三閘極氧化層 (dual/triple gate oxide)製程，將32奈米製程所使用的氮氧化矽（Silicon Oxynitride，SiON）)/ 多晶矽（poly Si）材料延伸至28奈米製程，這樣可以使半導體可續往先進製程技術推進。
台積表示，此一製程技術的優勢與成果，將在日本京都舉行的2009超大型積體電路技術及元件技術研討會上發表，28奈米雙╱三閘極氧化層系統單晶片技術，所產出的64Mb SRAM，與前一世代的45奈米製程技術相較，不但速度提高25~40%，操作功耗減少30~50%，還擁有低待機及低操作功耗優勢。