【時報-台北電】
聯電(2303)積極擴充28奈米產能，預計今年中月產能可達2萬片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯電已建置月產能約3，000片的14奈米生產線，預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程試產，若下半年客戶產品陸續完成設計定案（tape out），明年將開始拉升產能進入量產階段。
聯電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯發科等5家客戶晶片進入量產，並有逾10家客戶完成設計定案並展開試產，也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5％。聯電已積極進行擴產，預估今年中可將28奈米月產能擴增至2萬片規格，屆時28奈米毛利率就可達平均毛利率水準，下半年28奈米占營收比重就可望突破10％。
此外，台積電、三星今年開始量產FinFET製程，聯電也催足馬力，力拚2016年14奈米FinFET製程進入量產。聯電建置約3，000片的14奈米製程生產線，開始試產並對客戶送樣，預計第二代14奈米FinFET製程將在第2季進入試產階段，由於客戶下半年陸續完成晶片設計定案，若一切順利，可望提前在2016年就直接進入量產。
聯電過去都是自行研發先進製程，但因28奈米以下技術研發費用太過龐大，所以聯電在2012年與IBM簽訂授權協議，合作開發14奈米FinFET製程。而隨著製程技術開發完成，聯電今年除了擴大28奈米產能，自然也加快14奈米進入量產的速度，如今看來，聯電跳過20奈米直接跨入14奈米的策略，的確成功拉近與競爭對手台積電、三星的差距。（新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導）