【時報-台北電】韓國三星電子（Samsung）昨（31）日召開法說會，除了看好第三季DRAM及NAND Flash市場需求暢旺，也指出14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程將在今年底進入量產。業界認為，台積電 （2330） 16奈米FinFET可望與三星同步在年底量產，台積電及三星的FinFET競爭誰能勝出，端看量產後良率拉升速度而定。
三星第二季手機事業營運表現不佳，但記憶體事業卻獲利大好，營收季增10％達6.92兆韓元（約折合67億美元）。三星在法說會中指出，第二季DRAM市場供給及需求維持穩定，來自PC及伺服器的需求持穩，遊戲機及消費性電子產品等利基型DRAM需求也相當強勁。
至於NAND Flash部份，三星指出，第二季受惠於PC及資料中心需求續增，以及主要品牌廠固態硬碟（SSD）的需求穩健，帶動NAND Flash營收成長，而高容量記憶卡需求強，大陸市場行動裝置對NAND Flash的需求也持續成長。
在邏輯晶片的系統LSI部門，三星的表現就不如預期，主要是因為客戶對於行動裝置的應用處理器需求疲弱，營收因此低於上季，而晶圓代工部份表現也不盡理想。
對於下半年展望部份，三星持續看好記憶體市場，而且供給量將出現吃緊情況。在DRAM產品線部份，因為供給量成長幅度有限，但包括PC、伺服器等應用市場需求卻強勁成長，特別是在新款行動裝置陸續上市，以及大陸智慧型手機等需求成長。
三星對下半年NAND Flash市場也抱持樂觀看法，除了智慧型手機及平板等行動裝置內建更大容量NAND Flash，PC端的SSD需求更出現強勁成長動能，加上高容量記憶卡銷售暢旺，NAND Flash下半年的容量需求等同進入旺季。
三星雖然指出下半年行動裝置銷售動能持續疲弱，影響到高階應用處理器的需求持續疲軟，但三星仍將發表20奈米處理器晶片，14奈米也將如期在今年底開始量產，以符合公司鞏固客戶基礎的計畫。（新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導）