包括三星、東芝等國際記憶體大廠相繼退出8Gb以下SLC NAND Flash市場，台灣記憶體廠旺宏、力晶等積極卡位，其中旺宏以自有矽智財開發出36奈米SLC NAND Flash晶片，已開始送樣並陸續獲得國際系統大廠認證通過。由於8Gb以下SLC NAND Flash市場供不應求且價格大漲，法人看好旺宏有機會力拚賺錢。
過去10年當中，包括東芝、三星等國際記憶體廠張開專利防護傘，導致國內記憶體廠無法搶進NAND Flash市場，僅有力晶因獲得日本瑞薩AG-AND技術授權而得以生產低容量NAND Flash晶片。
而今年以來，國際大廠因現有20奈米以下先進製程用來生產8Gb以下容量SLC NAND Flash不具成本效益，相繼決定退出，使得今年來8Gb及4Gb SLC NAND Flash市場供不應求，價格已大漲逾20％。
看好低容量SLC NAND Flash仍被大量應用在工控、航太、軍事等市場，旺宏以自有NOR Flash專利及矽智財，成功開發自有SLC NAND Flash晶片，並且避開國際大廠專利，去年已開始以36奈米生產NAND Flash並送樣認證，今年陸續獲得國際系統大廠認證通過。
旺宏總經理盧志遠日前表示，包括三星、東芝等四大NAND Flash廠現在都是主攻64Gb以上高容量，1Gb～8Gb低容量市場均已慢慢退出，所以對旺宏來說，低容量NAND Flash仍然有10～20億美元的市場可以搶攻市占，將成為今年最具成長性的市場。
盧志遠指出，旺宏36奈米4Gb SLC NAND Flash去年第4季已對客戶送樣認證，低容量NAND Flash將成為今年最具成長性的市場，旺宏今年出貨量就可望較去年成長10倍以上，今年將是衝刺NAND Flash的元年。
旺宏去年全年營收達222.04億元，較前年衰退8％，毛利率約9％，全年虧損63.06億元，每股虧損1.79元。法人表示，旺宏去年底手中現金及約當現金高達119.79億元，營運虧損主要是來自於提列12吋廠龐大折舊費用，一旦折舊結束，獲利將出現強勁爆發力道，如今成功跨足NAND Flash，今年就有機會力拚由虧轉盈。