（中央社台北2013年12月18日電）
根據彭博引述2名知情人士透露，全球第2大記憶體晶片製造商SK海力士公司（SK Hynix Inc. KR-000660）計畫在南韓興建一座新廠，滿足行動裝置攀升的需求。
根據要求匿名的消息人士表示，SK海力士計畫明年投資廠房、維修和升級當前設備至少4兆韓元（38億美元）。
其中1位知情人士透露，新廠將在明年開始興建，最早在2015年初量產動態隨機存取記憶體（DRAM）。
SK海力士第3季DRAM市占率28.5%，相較於三星電子（Samsung Electronics KR-005930）的37.1%。
SK海力士發言人朴鉉（Park Hyun）接受電話訪問時表示，該公司正考慮興建新DRAM廠計畫，不過，細節尚未決定。
自SK海力士大陸無錫廠9月4日慘遭祝融後，晶片價格一路漲。根據集邦科技，主流DDR3 2GB DRAM晶片17日報2.34美元，相較於9月4日的1.60美元。
DRAM晶片加上NAND快閃記憶體，有助智慧型手機、平板電腦和電玩主機執行多重功能，像是播放影片等。
消息人士表示，明年維修和製程升級支出約3兆韓元。
SK海力士也面臨美光科技（Micron TechnologyUS-MU）的挑戰，根據集邦科技，美光市占率達26.2%。（譯者：中央社劉淑琴）