【聯合晚報╱記者徐睦鈞／即時報導】 2012.11.22 11:35 am
聯電 (2303)宣布，推出新一代80奈米小尺寸螢幕驅動晶片(SDDI)製程，此製程特色在於具備了晶圓專工業界最富競爭力的SRAM儲存單元。此低耗電的尖端SRAM解決方案採用了先進的設計規則，以縮小儲存單元尺寸到0.714平方微米，將比現有80奈米SDDI製程中使用的一般0.81平方微米更加微縮許多，使智慧型手機得以更小晶片尺寸實現HD720/WXGA高畫質。此製程現已準備量產，並與數家主要客戶針對HD720/WXGA畫質的智慧型手機產品合作中。
聯電12吋特殊技術開發處資深處長許堯凱表示，隨著現在智慧型手機的快速興起，聯電已在特殊技術開發上位居領先者地位，使客戶能夠持續推陳出新，推動功能更強的產品問世。聯電現有的80奈米與即將推出的55奈米SDDI製程，可協助現有或新的客戶，推出耗電更低且畫質更高的尖端智慧型手機螢幕驅動晶片。
聯電已於0.13微米製程平台出貨逾3億顆SDDI晶片，運用於WVGA與qHD畫質的主流智慧型手機，而此次推出的新一代80奈米製程，延續且穩固聯電在全球SDDI晶圓專工領域的領導者地位。
除了0.13微米與80奈米SDDI製程技術之外，聯電也針對了配備Full-HD螢幕的次世代智慧型手機，推出業界第一個55奈米SDDI製程，將於本季開放接受客戶SDDI晶片設計開發使用。