(中央社記者張建中新竹2012年9月2日電)受惠動態隨機存取記憶體(DRAM)價格反彈，4家DRAM廠南科、華亞科、力晶及瑞晶第2季虧損同步縮小，虧損金額共較第1季減少新台幣102億元，減幅逾4成。
隨著美光(Micron)出線，將整併日本記憶體大廠爾必達(Elpida)，未來DRAM產業將呈三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光寡占局面。
在市場預期漲價的心理因素驅動下，個人電腦代工廠積極備貨，帶動第2季DRAM產品價格止跌回升，促使DRAM廠虧損同步縮小。
除產品價格反彈外，南科 (2408) 與華亞科 (3474) 製程技術自42奈米推進至30奈米，有助降低成本，另外，非標準型DRAM產品比重持續拉升，都有助營運改善。
南科第2季稅後淨損66.83億元，較第1季虧損減少35.6%。華亞科第2季稅後淨損29.76億元，同樣較第1季虧損減少33%。
力晶 (5346) 因面板驅動IC等晶圓代工業務急遽成長，第2季稅後淨損也縮小至30.38億元，較第1季減少45.36%。
瑞晶 (4932) 因少了業外爾必達呆帳損失影響，第2季稅後淨損縮小至15億元左右，是4大DRAM廠中虧損最少的廠商，較第1季虧損減少達6成，也是4大DRAM廠中虧損減幅最大者。
包括南科、華亞科、力晶及瑞晶4大DRAM廠，第2季合計虧損約142億元，較第1季虧損減少102億元，減幅達41%。
只因4大DRAM廠持續虧損，每股淨值也進一步下滑，至6月30日南科每股淨值降至0.39元，華亞科每股淨值降至5.56元，力晶每股淨值降至0.28元，是4大DRAM廠中最低者。
瑞晶每股淨值為12.18元，是4大DRAM廠中唯一每股淨值仍維持在10元之上的廠商。
為改善財務結構，力晶第3季將完成減資332.44億元，減資比率達6成，將有助拉升每股淨值。此外，南科將辦理私募增資，每股1.7元發行，也將有助拉升每股淨值。
現金流量方面，南科第2季雖然仍處營業淨現金流出情況，不過，流出金額自第1季的73.69億元，大幅縮小至5.7億元。
力晶則維持營業淨現金流入狀態，流入金額自第1季的6.75億元，擴增至8.31億元，營運狀況同步好轉，有利紓緩營運資金吃緊壓力。
華亞科則自第1季營業淨現金流入72億元，轉為營業淨現金流出12.8億元。
展望未來，DRAM市場需求疲弱不振，供過於求情況依然嚴重，產品價格自7月起又逐月走跌，是否影響DRAM廠第3季虧損又轉為擴大值得留意。