與美光合作英特爾發表省電DRAM
【經濟日報╱特派記者謝佳雯／舊金山十五日電】 2011.09.17 02:38 am
英特爾年度開發者大會（IDF）進入第三天，會中以省電為題發表兩項新技術，內含與美光合作開發的DRAM記憶體「Hybrid Memory Cube」，標榜省電效率是現在DDR3的七倍，目標市場將是雲端運算伺服器、Ultrabook、電視、平板電腦及智慧型手機。
英特爾與美光已在儲存型快閃記憶體（NAND Flash）有合作，雙方合資設立IM Flash公司。美光與台灣南科（2408）在DRAM有合作關係，共同進行新是帶DRAM技術研發，並合資設立華亞科，美光這次與英特爾研發更省電DRAM技術，可望有助南科、華亞科等技術提升。
英特爾技術長Justin Rattner在美西時間的15日，於IDF第三場主題演講上發表未來技術趨勢，包括「近臨界電壓處理器」和一款處於概念階段的DRAM記憶體「Hybrid Memory Cube 」。
「Hybrid Memory Cube」是由美光與英特爾合作開發的一款概念階段DRAM記憶體，它展現了記憶體設計的新模式，其省電效率是目前DDR3的七倍，還能達到每秒傳送1兆位元的傳輸速度。
由於「Hybrid Memory Cube」訴求省電效率，英特爾認為，這項研究未來將促使雲端運算伺服器、超輕薄筆電Ultrabook、電視、平板電腦及智慧型手機等產品能有大幅的改進。
在同樣低耗電量設計考量下，英特爾昨天也再度說明已完成研發的「近臨界電壓處理器」，內部採用新穎設計的超低電壓電路，大幅降低耗電，能在接近電晶體的臨界或導通電壓下運作。
在這種概念下，在有需要時處理器能高速運作，而當作業負載較低時則立即將耗電降到10毫瓦，在如此低的功耗下，僅需一片郵票大小的太陽能電池就能滿足其電力需求。
英特爾強調，雖然研究階段的晶片未來不會成為獨立產品，但這項研究結果將讓可擴充的「近臨界電壓電路」能整合到未來各種產品，耗電減少五倍以上，並讓更多的運算裝置持續保持開機狀態。
英特爾表示，這樣的技術將延續英特爾實驗室的目標，讓各種應用的耗電量減少100至1，000倍，包括從巨量資料處理到tera等級運算且能放入口袋的裝置。
【2011/09/17 經濟日報】@ http://udn.com/