2026/10/28 19:36

長鑫存儲據稱正在推進第五代高頻寬記憶體HBM3E的生產，即使其良率僅20%至30%。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕中國最大的DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）據稱正在推進第五代高頻寬記憶體（HBM）HBM3E的生產，即使其良率僅20%至30%，但由於美國出口管制使得中國人工智慧半導體公司難以取得先進記憶體，該公司為了盡快交付產品，不得不接受較低的良率。
路透28日報導，長鑫存儲已向多家中國人工智慧半導體設計公司寄送了HBM3E樣品，並計劃在未來兩個月內開始小批量生產。兩位消息人士稱，目前的良率約為20%至30%，與市場領導者SK海力士約70%的良率相比差距較大。
據稱，長鑫存儲向客戶提供了兩種類型的HBM3E：一種是標準設計產品，另一種是改良型產品，後者在設計上進行了一些改動以提高良率。測試結果表明，其性能更接近上一代HBM3，而非SK海力士的HBM3E。由於良率較低推高了製造成本，有些人預計其價格將高於海外競爭對手的同類產品。
長鑫存儲加速量產的背後，是中國先進記憶體的短缺。
2024年12月，美國收緊了部分出口到中國的HBM產品的出口管制，此後中國企業不得不透過非官方管道採購，價格高出數倍。路透上月報導稱，包括華為和寒武紀在內的中國人工智慧晶片公司，由於記憶體成本上漲，已將產品價格提高了20%至50%。據悉，長鑫存儲自2024年起就開始自主研發HBM技術。