經濟日報｜2026.10.23 00:51
聯電（2303）搶攻AI伺服器供電商機再出擊，昨（22）日宣布攜手愛普，結合深溝槽電容（DTC）製程與矽電容設計能力，布局先進封裝電源整合市場，雙方合作產品已於本季完成投片及初步功能驗證，將進一步展開系統效能與可靠度測試。
法人看好，聯電與愛普強強聯手，將為兩家公司營運增添助力，聯電方面主要反映在特殊製程接單，愛普則有利於擴大矽電容業務。
業界分析，AI晶片運算效能持續提升，電力傳輸與供電穩定性成為資料中心升級關鍵，主因電源架構由電路板層級朝晶片端整合，電容也逐步嵌入中介層或封裝基板，藉縮短傳輸路徑、降低供電損耗，滿足高效能運算（HPC）需求。
此次聯電與愛普合作，由聯電提供DTC製程及晶圓製造能力，愛普負責矽電容設計與系統整合，已完成S-SiCap Gen2D分離式矽電容投片及初步驗證，下一階段將針對封裝基板中的電容進行完整測試，支援不同電容量與工作電壓需求。
雙方也正探討將合作延伸至矽中介層嵌入式電容、基板底面電容等產品線，擴大應用範圍。對愛普而言，可藉聯電製程與製造資源，提供客戶從設計到晶圓製造的一站式服務，並為後續產品導入建立基礎。
聯電資深副總經理洪圭鈞強調，AI與HPC成長，正推動供電架構從電路板走向晶片層級的垂直整合，DTC技術可將高密度電容配置於更靠近運算晶片的位置，提升供電穩定性。
愛普總經理洪志勳指出，客製化S-SiCap產品完成投片與初步晶圓驗證，展現設計彈性及可製造性，也是產品發展的重要里程碑。
聯電強調，該公司持續擴充供電解決方案，除分離式、嵌入式矽電容，也布局內部電壓調節器等主動元件，並結合先進封裝能力，提高電源元件整合密度，正向看待在資料中心朝更高電壓與電容量發展的態勢下，電源及異質整合需求。