2026-10-22 16:21:28 新聞中心 發佈
聯電(2303)與愛普*(6531)今(22)日共同宣布展開技術與製造合作，推進AI與高效能運算(HPC)系統的供電解決方案。此次合作結合聯電的深溝槽電容(DTC)製程技術與可擴充的晶圓製造能力，以及愛普的矽電容設計與系統層級整合技術，以共同因應下一代資料中心在電源效率方面的挑戰。

隨著AI運算工作負載快速成長，運算系統對電源傳輸的要求日益提高，推動資料中心的電源架構從傳統將穩壓元件配置於電路板上，逐步轉向將電容直接嵌入中介層(Interposer)或基板中。此創新架構可縮短電源傳輸路徑、提升電源完整性(Power Integrity)，並支援先進封裝內更有效率的電壓調節。

聯電與愛普的合作已於2026年第三季達成重要里程碑，愛普S-SiCap Gen2D分離式矽電容設計已完成投片及初步功能驗證。下一階段將針對封裝基板中的電容進行完整的系統級效能與可靠度測試，目標是支援不同的電容量與工作電壓需求。雙方也正探討將合作拓展至其他包括矽中介層嵌入式電容及基板底面電容的產品線，以因應多元的系統設計需求。

聯電資深副總經理洪圭鈞表示，AI與HPC的成長正推動電源傳輸架構根本性的轉變，從電路板層級的供電，逐步走向晶片層級的垂直電源整合；聯電提供完整的供電解決方案，包括DTC技術，可將高密度電容配置於更靠近運算晶片的位置，以達到更穩定晶片供電效果；聯電透過與愛普合作，正致力將可擴充的解決方案推向市場，以克服AI基礎設施持續演進所帶來的關鍵供電瓶頸。

愛普總經理洪志勳表示，採用DTC技術的客製化S-SiCap產品成功完成投片及初步晶圓驗證，是展現愛普S-SiCap設計彈性與可製造性的重要里程碑；透過與聯電的合作，為客戶提供從產品設計到晶圓製造的一站式解決方案。

聯電的供電解決方案藍圖涵蓋可應用於不同系統架構的分離式與嵌入式矽電容，並延伸至內部電壓調節器等主動元件。聯電亦運用其先進封裝能力，實現更高密度的電源元件整合，以滿足下世代資料中心對更高電壓與電容量的需求。同時，聯電持續投資擴充製造產能，以支援電源與異質整合解決方案。