2026-10-19 15:42:29 數位內容中心 發佈
NVIDIA（NVDA.US）
10/18供應鏈消息指出，NVIDIA已要求Samsung Electronics、SK hynix與Micron Technology的下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）統一採用Taiwan Semiconductor Manufacturing Company的3奈米Base Die，核心記憶體晶片則統一採用第六代動態隨機存取記憶體（DRAM）1c製程。這次變動把競爭焦點推向Base Die與DRAM節點的共同規格。
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Samsung Electronics
10/18多家媒體報導，Samsung Electronics已依NVIDIA要求，將下一代客製化HBM的Base Die改採Taiwan Semiconductor Manufacturing Company的3奈米製程，Core Die則配合統一使用1c製程。公司一般HBM產品仍維持自家整合製造，顯示客製化與標準品路線開始分流。
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SK hynix（SKHY.US）
10/15路透報導，美國商務部已改為逐案核准SK hynix中國廠採購美國設備，原則上不批准擴產或技術升級所需設備。這項變動直接牽動其大連NAND廠設備引進節奏，公司也表示後續將依美國政府協商結果與許可要求推進。
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Micron Technology（MU.US）
10/15台灣經濟部公布，Micron Technology以約94.49億美元貨幣債權增資台灣子公司，成為2026年前9月核准僑外來台投資大增的主要來源。這筆增資直接對應其持續強化在台動態隨機存取記憶體（DRAM）與先進記憶體營運基礎。
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ChangXin Memory Technologies
10/18報導指出，ChangXin Memory Technologies正推進4F²記憶體單元、垂直環繞閘極電晶體（VSG）與混合鍵合（Hybrid Bonding），並計畫在2026年底前推出雙倍資料速率第五代（DDR5）伺服器記憶體。其本週訊號在於高密度DRAM技術路線加速，焦點先落在標準型DRAM與伺服器記憶體。
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company（TSM.US）
10/18相關報導指出，若NVIDIA下一代HBM Base Die全面導入Taiwan Semiconductor Manufacturing Company的3奈米製程，該公司在AI供應鏈的角色將從邏輯晶片延伸至HBM核心元件。這項進展使其與高密度記憶體的連結，從先進運算進一步擴大到記憶體邏輯層。
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SanDisk（SNDK.US）
SanDisk先前已與SK hynix發布Open Compute Project技術規格，並由Google與Tenstorrent參與驗證與標準化，目標是讓高頻寬快閃記憶體（HBF）可與HBM協同用於AI系統。這是本週少數把高密度NAND直接連到AI記憶體架構的具體進展。
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