編譯陳苓／綜合外電 2026-10-18 13:11 ET



韓國消息指出，輝達要求該公司的客製化高頻寬記憶體（HBM），有部分須使用台積電的3奈米製程。（路透）
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輝達傳要求客製化HBM的基礎晶粒改由台積電3奈米製程生產，主因是良率與產能更穩定，並可提升NVHBM性能與降低功耗。

韓國消息指出，輝達（Nvidia，又稱英偉達）要求該公司的客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（baxse die）部分須使用台積電的3奈米製程，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積攜手。

首爾經濟日報報導，業界人士透露，輝達與三星電子、台積電，共同設計輝達記憶體「NVHBM」的基礎晶粒（baxse die）。基礎晶粒位於HBM底層，內建能決定資料傳輸速度的邏輯電路，設計方式會影響到產品競爭力。

NVHBM的客製化基礎晶粒，特點是把原本放在繪圖處理器（GPU）的記憶體控制器，改放到NVHBM基礎晶粒上。基礎晶粒為騰出空間，放置記憶體控制器，與外部晶片交換電子訊號的實體層（physical laxyer），比標準HBM縮小了六成。有鑒於此，輝達要求基礎晶粒須用台積電的3奈米製程生產。

台積3奈米能把更多電路整合進有限空間，而且要壓低晶片成本，也需要高良率。外界估計台積的3奈米良率超過90%；相較下，三星類似製程為2奈米的SF2製程，良率約60%。對輝達來說，基礎晶粒交給台積是更穩健的選擇。

另一個原因是三星電子的基礎晶粒產能相對有限。該公司的4奈米基礎晶粒生產，僅在華城17產線與平澤P3廠，依據目前生產規劃，難以吸收客製化HBM生產。

台積則有產能夠填補缺口。台積在法說會上表示，會在台南Fab 18廠增加兩條3奈米產線，分別預定今年上半、後年上半啟動量產。台積也打算在美國亞利桑那州二廠與日本熊本二廠，設立3奈米產線。

新設計能讓NVHBM的記憶體頻寬，較標準HBM4E最多提高30%；電力消耗也減少15%。