2026-10-15 13:48:10 郭妍希 發佈
美國川普政府積極施壓外國晶片業者赴美設廠，南韓記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)卻試圖反向運用美國製造政策，將赴美興建NAND型快閃記憶體廠與擴充中國產能綁定，爭取華府放行美國半導體設備出口，成為美中科技管制下的新談判焦點。
路透社15日引述兩名知情人士指出，SK海力士旗下美國子公司Solidigm，希望在中國大連廠閒置空間增設設備，提高NAND產量，並以取得美國半導體設備出口許可，作為興建美國新廠的條件。

大連廠使用科林研發(Lam Research)、應用材料(Applied Materials)及科磊(KLA)等美國設備商的產品。其中2023年興建的Mod B廠房，因當年記憶體景氣低迷，尚未完成設備裝設，目前仍有大量空間可供擴產。

不過，美國商務部去(2025)年取消SK海力士與三星在中國廠採購美國設備的豁免資格，改採逐案核准，並表明原則上不會批准擴產或技術升級所需設備。SK海力士目前仍須爭取Mod B新增設備的出口許可。

知情人士指出，Solidigm希望透過中國廠增產取得現金流，支應耗資龐大的美國新廠，並作為美國產能投產前的過渡方案。Solidigm也評估最快明(2027)年首次公開發行(IPO)，籌措美國設廠資金。另外，SK海力士還在與英特爾(Intel Corp.)洽談租用俄亥俄州廠房部分空間。

然而，美國政府尚未批准大連廠新增設備申請。SK海力士能否以美國投資承諾換取中國擴產空間，仍存在高度不確定性。

值得注意的是，SK集團(SK Group)會長崔泰源(Chey Tae-won) 7月曾表示，明(2027)年的供應短缺情況將進一步惡化。「明年沒有任何一家公司能大幅增加供給，情況嚴峻到我甚至不知該不該用『混亂』來形容。」他透露，「我目前收到來自各方的需求請求，甚至包括外國政府向韓國政府施加的壓力。」

美國商務部長盧特尼克(Howard Lutnick)7月9日在記憶體大廠美光(Micron Technology Inc.)的紐約晶圓廠灌漿典禮上公開向南韓半導體巨頭三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士施壓，要求兩家公司在美國本土建造記憶體晶圓廠。他說，鑒於美光正積極擴大美國本土的製造規模，其亞洲對手「別無選擇，只能跟進」(no choice but to follow)，前往美國進行投資。盧特尼克並證實，自己正在跟三星與SK海力士高層積極討論擴建計畫。

(圖片來源：Shutterstock)

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