中國記憶體加速追趕！長鑫 DRAM 落後兩年，長江 NAND 竟只差一年

作者 林 妤柔 | 發布日期 2026 年 09 月 16 日 10:35 | 分類 中國觀察  半導體  記憶體 查看翻譯

韓國半導體產業協會（KSIA）近日量化中國在半導體技術上追趕西方的驚人速度，指出 NAND 巨頭長江存儲與 DRAM 大廠長鑫存儲正快速縮小技術差距，競爭力也日益提升。

韓媒《中央日報》（Korea JoongAng Daily）引述韓國半導體產業協會指出，韓、中兩國在記憶體晶片領域的技術差距已縮小，HBM 差距 3 年、DRAM 差  2 年，而 NAND Flash 僅差距 1 年。
令人驚訝的是，不久前這項差距還維持在約 5 年。三星和 SK 海力士於 2025 年開始生產 300 層 NAND Flash，當時長江存儲正在生產 270 層 NAND，預期到 2027 年將轉向 400 層 NAND，到時三星及 SK 海力士差距將縮小至約 1 年。
DRAM 部分，三星與 SK 海力士於 2023 年開始生產 DDR5，但長鑫存儲到 2025 年才開始生產 DDR5 模組，雙方差距約 2 年。目前長鑫存儲已大量生產 LPDDR5X，近期也已開始生產 LPDDR6；在 HBM 方面，長鑫存儲目前技術落差約 3 年，長鑫存儲才剛開始試產 HBM3E 模組，但目前良率僅約 25%，並持續面臨矽穿孔（TSV）等挑戰。
長鑫存儲採用長江存儲 X-Stacking 3D NAND 記憶體技術，在 G4 製程上打造 HBM3E 堆疊。與完全依賴傳統微凸塊（micro-bumps）連接堆疊 DRAM 晶粒不同，這項製程採用長江存儲的銅對銅混合鍵合（copper-to-copper hybrid bonding），藉此將晶圓之間的銅互連直接接合，縮短堆疊 DRAM 層之間的電路路徑。
更重要的是，這種架構讓長鑫存儲與長江存儲無需依賴 EUV 設備，也能製造具競爭力的 HBM 架構。Wccftech 指出，長鑫存儲今年也將取得上海愛晟納與宇量昇生產的部分國產 DUV 設備，但這些 DUV 設備製造商仍面臨一些瓶頸，尤其與投影鏡頭及光源有關。
長鑫存儲正將這項技術應用於 G4 DRAM 製程（相當於 1z 節點）及 LPDDR5X 產品，合理推測該公司即將進一步邁向更先進的 1a 節點。此外，考量長鑫存儲已經在開發下一代 15nm G5 DRAM 製程，這項可能性也進一步提高。
至於長江存儲，其產能預計在 2027 年初達到每月 30 萬片晶圓，其中部分產能將用於 LPDDR。待其兩座新晶圓廠於 2027 年投產後，總產能將在 2028 年提升至每月 45 萬至 50 萬片晶圓；相比之下，三星 NAND 產能預計在 2027 年底達到每月 35 萬片晶圓。

• China narrows HBM gap with Korea technology lead down to 3 years
• China’s YMTC Is Just 1 Year Behind The West On NAND While CXMT Trails By Just 2 Years On DRAM And 3 Years On HBM According To Korea Semiconductor Industry Association

（首圖來源：Pixabay）