2026/09/10 18:55

外媒指出，中國長鑫存儲 HBM3 良率很低。（路透資料照）
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒披露，中國記憶體大廠長鑫存儲在高頻寬記憶體（HBM）的生產，遭遇嚴峻的技術瓶頸，主力研發的 8層堆疊 HBM3 記憶體晶片良率處於低水準，僅 25% 至 30%。
《Wccftech》引述韓媒《Chosun Biz》報導稱，近年長鑫存儲能夠在全球記憶體市場快速崛起，其中一項原因，就是三星電子、SK海力士與美光等傳統記憶體大廠將更多產能與資源轉向HBM，使長鑫存儲得以擴大DRAM供應。
不過，長鑫存儲在嘗試自主研發高階 HBM 晶片時，遭遇嚴重的技術瓶頸。業界人士指出，長鑫存儲主力研發的 8層堆疊 HBM3 記憶體晶片，良率只有 25% 至 30% 的低水準。在每批次 100 顆 HBM3 晶片中，高達 80 顆無法通過品質檢測。即使順利產出，剩餘的最終產品在通過額外測試後，也僅有 70% 可以交付給客戶。
報導指，單顆標準長鑫存儲 HBM 晶片需開鑿多達 3000 個矽穿孔（TSV），藉由垂直導線連接各個層級並與基礎晶片通訊。目前長鑫存儲在鑽孔與導線配置等 TSV 技術遇到挑戰，在 DRAM 晶圓層之間的堆疊與鍵合（Bonding）技術上亦面臨困難。
HBM目前已成為全球記憶體產業最關鍵的產品之一。隨著全球AI資料中心持續大規模擴建，HBM需求快速增加，也成為AI晶片供應鏈的重要瓶頸。