2026/09/09 05:30
   
台積電與艾司摩爾（ASML）宣布發起產業合作，共同推動轉移升級至12吋光罩。（彭博）
〔記者林薏茹／台北報導〕晶圓代工龍頭台積電（2330）與艾司摩爾（ASML）昨宣布，將共同推動半導體產業由現行6吋光罩升級至12吋光罩，目標在2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。英特爾與三星隨後也表態，將參與艾司摩爾下一代12吋光罩技術。
台積電表示，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期可進一步提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。
隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。據雙方計畫，2031年前將建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。
半導體大廠英特爾與三星昨也相繼表態投入下一代12吋光罩技術，英特爾持續推進High NA EUV量產準備，三星更規劃2028年前後導入未來DRAM量產。