2026/09/08 14:26
   
台積電與艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起產業合作，共同推動轉移升級至12吋光罩（彭博）
〔記者林薏茹／台北報導〕晶圓代工龍頭台積電（2330）與艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起產業合作，共同推動半導體產業由現行6吋光罩轉移升級至12吋光罩，目標在2031年之前建立12吋光罩試產線（pilot line），並於2033年前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
台積電與ASML於7日在美國加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前，宣布上述合作。台積電表示，High NA EUV將自現行的6吋光罩轉移至更大的12吋光罩，預期可進一步提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，並消除High NA EUV曝光時需要以兩張6吋光罩進行拼接的限制；透過轉移至12吋光罩，可讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV優勢，進一步提升未來世代先進晶片的成本效益。
台積電表示，有意自2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期，需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。
雙方計畫於2031年前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。台積電指出，眾多關鍵生態系統夥伴與供應商也出席活動，並表達參與意願，展現產業對此次轉移的支持。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨著元件微縮藍圖推進，High NA EUV的採用將逐步提升；初期將沿用現行6吋光罩，後續導入12吋光罩，以進一步提升設備生產力，讓產業滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。他也表示，此次合作初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商及合作夥伴支持。
台積電董事長暨總裁魏哲家表示，台積電深信唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能，透過匯聚產業價值鏈的專業能力，期許持續創新降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及。