2026/08/05 07:00  
長鑫存儲7月27日於上海證券交易所科創板掛牌上市，股價在IPO首日飆漲逾500%，使其一度成為中國市值最高的上市公司。（法新社）
長鑫存儲技術竊自南韓兩大Dram廠
〔財經頻道／綜合報導〕中國記憶體晶片大廠「長鑫存儲」（CXMT）7月27日於上海證券交易所科創板掛牌上市，股價在IPO首日飆漲逾500%，使其一度成為中國市值最高的上市公司。
值得關注的是，韓國檢方當年調查指出，長鑫存儲當年是在吸收多名三星電子（Samsung Electronics）退休工程師後，正式啟動DRAM（動態隨機存取記憶體）研發計畫，並在過程中透過合作廠商，取得部分SK海力士（SK Hynix）製程相關資訊，在同時掌握韓國2大記憶體廠的技術經驗後，長鑫存儲最終於2023年實現10奈米級DRAM量產，成為中國首家、全球第4家跨入該門檻的企業。近年在AI需求帶動下，全球記憶體市場進入新一輪景氣循環，先進記憶體產品價格上漲，也推升相關投資與需求，長鑫存儲因此加速成長。
《路透》報導，長鑫存儲是中國最大的DRAM製造商。DRAM主要提供智慧型手機、個人電腦、伺服器、人工智慧（AI）系統及其他電子產品所需的短期記憶功能。而全球DRAM市場長期由三星電子、SK海力士及美光科技（Micron Technology）三大廠商主導。
根據長鑫存儲招股說明書，該公司目前是全球第四大DRAM製造商，2025年全球市占率約為7.7%。
隨著人工智慧需求急速攀升，整個記憶體產業格局被徹底顛覆，出現嚴重短缺，記憶體價格也飆升至歷史新高，長鑫存儲也因此受惠，該公司今年第一季營收年增719%，達508億元人民幣（約75.1億美元）。今年上半年營收預估將達1100億至1200億元人民幣，幾乎是2025年全年618億元人民幣營收的兩倍。
長鑫存儲今年上半年營收預估將達1100億至1200億元人民幣，幾乎是2025年全年618億元人民幣營收的兩倍。（美聯社）
用5倍薪水挖角三星工程師
但讓市場關注的是，長鑫存儲其實成立不過10年，前身是2016年在中國安徽合肥成立的「睿力集成電路有限公司」，而其技術發展相當迅速，2019年就成功量產DDR4晶片，實現中國DRAM產業從0到1的歷史突破。據中國媒體描述，長鑫存儲採取「跳代研發」策略，完成了從第1代到第4代工藝技術平台的量産，實現了從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產品覆蓋和疊代升級，核心產品及工藝技術已達國際先進水準。而該公司2023年更名為「長鑫科技集團股份有限公司」。
不過就在這時，長鑫存儲也爆出醜聞，包括1名高級開發工程師在內的3名三星電子前員工，因向長鑫存儲洩露三星電子的尖端DRAM技術，而遭韓國檢方起訴。長鑫存儲在未透露的時間招募了這3人，加入其所謂的「第二開發團隊」，任務是驗證和測試據稱從三星電子竊取的DRAM製程。3人均被承諾獲得比在三星電子任職時高出5倍的薪水，年薪高達30億韓元（新台幣6510萬元）。
這不只是個案，中國記憶體產業成長，處處可見韓國工程師影子。首爾中央地方檢察廳2025年12月以違反《不當競爭防止暨營業秘密保護法》與《產業技術保護法》為由，起訴10名前三星電子員工，指控其將DRAM關鍵技術外洩給長鑫存儲。涉案人士涵蓋多名開發負責人與核心工程師，其中甚至包括三星電子前高層、現任長鑫存儲研發主管，震撼韓國半導體圈。
韓國檢方指出，長鑫存儲在吸納多名三星電子前員工後，正式啟動DRAM研發，示意圖。（路透）
三星因技術外流年營業額少5兆韓元
長鑫存儲在2025年11月發布DDR5與LPDDR5X新產品後，韓媒《Business Korea》直言，中國和韓國在通用DRAM的技術差距已縮小至不到1年，對韓系大廠在中國市場的營收構成實質威脅。長鑫存儲對此舉更不諱言，指出其產品將成為中國降低對海外公司依賴的替代方案。
韓國檢方估算，僅2024年，三星電子因技術外洩造成的市占流失與價格壓力，銷售額便減少約5兆韓元（約33.7億美元；新台幣1095億元），若納入對整體產業與經濟信心的衝擊，總損失恐高達數十兆韓元。更令外界關注的是，部分涉案人士已在中國長期滯留，即使遭韓國註銷護照並發布國際刑警紅色通緝，中方仍持續延長其居留資格，凸顯技術與地緣政治交織的複雜現實。
市場認為，中國對DRAM的高度投入，來自於國家安全與龐大內需的雙重壓力。隨著數據中心、AI與雲端應用快速擴張，過度依賴進口記憶體將帶來成本與供應風險。
而CXMT的股東結構，充分反映中國由政府主導的半導體投資體系，在IPO前，國有股東持股比重達36.29%。主要股東包括合肥市、安徽省地方政府相關投資機構，以及中國最具代表性的國家級半導體投資基金、俗稱「大基金」的國家積體電路產業投資基金（國家集成電路產業投資基金）。
韓國檢方估算，僅2024年，三星電子因技術外洩造成的市占流失與價格壓力，銷售額便減少約5兆韓元。（歐新社）
美國把長鑫存儲列黑名單
不過《路透》報導指出，雖然長鑫存儲已成為全球第4大DRAM廠商，但在先進記憶體技術方面，仍落後於產業龍頭，尤其是在高頻寬記憶體（HBM）領域。HBM是打造輝達（Nvidia）等AI加速器不可或缺的重要元件。
目前HBM市場仍由三星電子及SK海力士主導，兩家公司憑藉數十年的製造經驗、製程技術以及全球客戶認證，占據領先地位，美光也HBM的重要供應商。
長鑫存儲的優勢則來自其他方面，該公司享有中國政府政策支持、可取得國家資金挹注，同時受惠於中國本土客戶希望降低對海外供應商依賴所帶來的需求。即使在技術層面仍落後全球競爭對手，這些優勢有助於CXMT持續擴大市占率。
但除了記憶體產業本身景氣循環劇烈、供需波動大的特性之外，長鑫存儲也面臨美國出口管制帶來的風險，以及相關的地緣政治風險。美國國防部今年6月已將長鑫存儲列入「中國軍工企業清單」（Chinese Military Company）。《路透》先前也曾報導，美國跨部會委員會已批准將長鑫存儲納入實體清單（Entity List），不過相關措施目前尚未正式實施。
長鑫存儲面臨美國出口管制帶來的風險，以及相關的地緣政治風險。（法新社）