經濟日報｜2026.07.08 01:59
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韓國三星電子DRAM價格在第1季已先狂飆90%，第2季再上調漲50~60%，第3季報價預期持續上漲，但缺貨瓶頸依舊無解。台股記憶體族群股價近期波動劇烈，可運用「漲價概念股」相關權證操作，在嚴控資金比重之際，也能獲取槓桿利潤。
台股近日受到科技股修正估值影響，回測下檔支撐，「漲價概念股」有獲利爆發題材，包括華邦電（2344）、南亞科（2408）等挾財報亮麗及展望正向等優勢，有機會於整理後重啟漲勢，發行券商建議，偏多投資人可買進相關權證，透過槓桿效果擴大獲利空間。
法人分析，記憶體往年循環多由終端需求回溫、通路回補與原廠稼動率調整推動，但本輪核心變化在於AI伺服器、推論運算、高密度SSD、HBM、伺服器DDR5與高容量RDIMM同步改變在系統中的角色。
DRAM不再只是傳統主記憶體，而是AI GPU、CPU及伺服器平台中的高頻寬、高容量資源，至於NAND亦由冷資料儲存進一步延伸至 KV Cache、企業級SSD、資料管線及多層次記憶體架構，成為AI基礎設施重要一環。
展望下半年，法人評估，記憶體產業供需缺口持續擴大，價格談判權回到供應端，下游OEM與雲端客戶面臨長交期、高價鎖量壓力，主因在於原廠於2023至2024年景氣低迷期間削減資本支出、關閉部分舊產線，使DRAM與NAND位元成長低於歷史均值。
但需求端卻因AI伺服器、企業級SSD、HBM、伺服器DDR5與LPDDR需求同步上揚，原廠將有限產能優先配置至高毛利產品，壓縮個人電腦、智慧手機、消費型SSD、eMMC、SLC NAND、DDR4與利基型記憶體供應。
法人認為，大型語言模型推論高度依賴KV Cache，當HBM與DRAM容量不足時，Warm KV Cache可能外溢至SSD，使企業級SSD從傳統儲存設備升級為AI 推論記憶體階層的一部分。
這輪記憶體漲價不只HBM缺貨，AI將HBM、DDR5、LPDDR、企業級SSD、SLC NAND、eMMC與NOR Flash全部拉進同一場產能競爭，法人預期華邦電、南亞科仍有漲價紅利。
權證發行商建議，投資人若看好華邦電、南亞科等後市表現，可買進價內外15%內、距到期日120天以上的相關認購權證，擴大獲利空間，但宜善設停利停損。