本帖最後由 小小蔡 於 11-01-06 10:35 編輯
文/范眠 2011-01-06
三星已將1.2V 2GB的未緩衝DDR4雙線記憶體模組(UDIMM)提供給控制器製造商進行測試。目前，三星正計畫與多家伺服器業者合作，希望能在今年下半年完成DDR4 的JEDEC標準化作業。

三星電子(Samsung Electronics)週二(1/4)宣佈，已率先業界於上個月完成DDR4 DRAM模組的開發，採用30奈米等級(class)製程技術。
三星表示，此新款DDR4 DRAM模組在1.2V條件下，能達到2.133 Gbps的資料傳輸率，若應用在筆記型電腦，可較1.5V的DDR3模組節省40%的功耗。
此模組採用已用在高效能繪圖DRAM的偽開放汲極(Pseudo Open Drain)新技術，可讓DDR4 DRAM在讀取和寫入資料時，僅需消耗DDR3一半的電流。
透過採取新的電路架構，這款DDR4的傳輸速度範圍為1.6Gps至3.2Gps，相較於目前DDR3的1.6Gbps和DDR2的800Mbps有顯著的提升。
上個月底，三星已將1.2V 2GB的未緩衝DDR4雙線記憶體模組(UDIMM)提供給控制器製造商進行測試。目前，三星正計畫與多家伺服器業者合作，希望能在今年下半年完成DDR4 的JEDEC標準化作業。
三星多年來一直領先DRAM技術開發，它於1997年開發出DDR DRAM技術、2001年發表DDR2 DRAM、2005年推出採用80奈米等級製程技術的首款DDR3 DRAM。(編譯/范眠)
====================================
PS:台灣dram…加油…