2025/12/25 07:00  
中國EUV曼哈頓計畫，台美專家踢爆真相。（路透）
〔記者洪友芳／新竹報導〕中國傳出突破技術門檻打造出極紫外光（EUV）微影設備原型機，被視為中國版「曼哈頓計畫」，引起半導體業震撼。不過，業界專家認為，這只是透過抄襲、複製邁出追趕技術的第一步，能否造出可量產EUV微影設備還有待觀察，大家可「持續關注」，但對此「無須過度緊張」，何況，ASML、台積電等領先者會繼續向前衝，繼續維持領先地位。
僅EUV光源 無須過度緊張
半導體專家指出，中國EUV技術突破，嚴格來講，僅限於能產生EUV光源，並非完整機台，
也就是說能成功「打出EUV的光束」，但這不等於製造出完整的EUV微影設備。技術是利用雷射和錫滴（laser-produced plasma）產生符合EUV等級波長的光源，這是目前ASML用於先進半導體製程的核心技術，以維持摩爾定律的持續。
專家推估，相較於ASML從零開始研發微影設備到可量產，共花費18年，中國透過挖角、抄襲和傾全國之力，宣稱打造原型機，這只是踏出整個複雜系統中的「第一步」，短期內對產業沒有影響，但也代表一個關鍵的技術突破口，不可小覷，需要持續關注其進展。從長期來看，估計研發時程可能在6年到10年，中國有機會製造出可進入生產的EUV微影設備機台，屆時將能生產3奈米及以下的先進製程晶片。
中處於追趕 非顛覆式創新
從衝擊半導體影響層面分析，專家認為，真正的威脅來自顛覆性的創新技術，中國處於「追趕」階段，並非「顛覆式創新」。他強調，只要中國沿襲現有EUV技術路徑進行追趕，並非「彎道超車」，歐美及台灣等自由世界的半導體業就不需過度恐慌，因為追趕的路徑是已知的、可控的，領先者可以持續創新，甚至透過「陷阱」誤導複製者，都可維持優勢。
專家認為，中國的體制傾向於將資源集中在已有突破的「追趕型」技術上，這會吸走原本可能用於真正顛覆式創新的資源。中國打造出EUV微影設備原型機，也循著「抄襲＋工程優化」模式，凸顯中國在科學層面的原創性較弱。
專家並指出，AI對半導體未來格局將有巨大變化，中國在EUV技術上取得初步突破，掌握產生光源的技術，但距離製造可商用的完整EUV微影設備機台仍有非常遙遠的距離，大家可「持續關注」，但對此「無需過度緊張」，因未來6-10年之間，自由世界的科技會繼續進步，ASML、台積電等領先者會不斷向前衝，持續創新以維持領先地位。
中芯7奈米 透過DUV偷吃步
外媒日前報導，在深圳一座高度戒備的實驗室內，中國科學家已打造出EUV微影設備原型機，目前正進行測試中，體積幾乎占滿整個工廠樓層，這項設備是曾任職ASML的工程師團隊打造，透過逆向工程仿製ASML的EUV，這項計畫堪稱中國版「曼哈頓計畫」，猶如美國於世界第二次大戰時期研發原子彈的機密工程。全球僅ASML生產EUV微影設備，每台價格高達數億美元，是生產先進製程不可或缺的關鍵設備，地緣政治阻力，ASML被禁售EUV微影設備給中國，中國僅能透過深紫外光（DUV）設備生產成熟製程的晶片、或多重曝光生產5或7奈米製程晶片。