2025/12/24 14:03  
美國半導體巨頭英特爾（Intel）正努力在製程技術與先進的全球產能布局上追趕台積電（TSMC）。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕美國半導體巨頭英特爾（Intel）正努力在製程技術與先進的全球產能布局上追趕台積電（TSMC），但若僅就美國本土而言，這家晶片巨頭仍幾乎無可匹敵。根據《CNBC》的報導，英特爾的 Fab 52 在先進程度上超越台積電目前的 Fab 21 第一期，以及即將完工的 Fab 21 第二期，其產能甚至可與這2個設施合計後的產能相提並論。
《Tom's 硬體指南》（Tom's Hardware ）引述《CNBC》報導，英特爾 Fab 52 的設計目標，是生產採用 Intel 18A以及更先進製程技術的晶片，這些製程導入了環繞式閘極結構（gate-all-around，GAA）的 RibbonFET 電晶體架構，以及 PowerVia 背面供電網路。該設施的設計產能為每週晶圓開工量（wafer starts per week、WSPW）約1萬片，在全面量產後，約相當於每月晶圓開工量（wafer starts per month、WSPM）約4萬片，以當今標準而言，確實是1座規模極為龐大的晶圓廠。
據X平台帳戶@IntelProMUltra觀察，目前Fab 52 已配置4套 ASML Twinscan NXE 低數值孔徑（Low-NA）EUV 微影系統，其中至少包括一台 NXE:3800E，這是 ASML 最先進的 Low-NA EUV 設備，在 30 mJ/cm² 的曝光劑量下，每小時最多可處理 220 片晶圓。該廠同時還配置了3台 NXE:3600D 系統，在相同曝光劑量條件下， NXE:3600D 處理能力為每小時 160 片晶圓。
整體而言，英特爾位於亞利桑那州奧科蒂洛（Ocotillo）的 Silicon Desert 園區總共部署至少 15 台 EUV 微影曝光設備。 雖然目前尚不清楚其中有多少比例會是次世代的 High-NA EUV 工具，或者有多少會被分配到即將建設的 Fab 62。但「至少 15 台」這個數字，表示英特爾擁有極大的空間來進一步擴充其產能上限。
若與台積電 Fab 21 第一期相比，英特爾 Fab 52 不僅能夠生產製程節點明顯更先進的晶片，其每月可處理的晶圓數量亦為其2倍。事實上，有鑑於台積電通常建造的單一晶圓廠模組，其產能約為2萬片 WSPM，即便台積電完成具備 N3 製程能力的 Fab 21 第二期，在3座廠區全面量產後，英特爾 Fab 52 仍將在亞利桑那州的產能規模上與台積電持平，甚至略為領先。
然而，有鑒於英特爾的 18A 製程節點在技術複雜度上，明顯高於台積電的 N4 或 N4P，單純進行產能的直接比較並不完全精確，因為即使使用更先進的 Twinscan NXE:3800B，英特爾的晶圓廠仍需投入更多製程步驟來實現該節點。
不過關於英特爾Fab 52工廠的產能提升計劃，需要注意一點：英特爾正在使用18A製程提升Panther Lake處理器的產量，而該製程仍處於良率曲線的早期階段。英特爾預期，18A 的良率將於 2027 年初達到世界級水準。在此之前，英特爾不會將該節點的 CPU 產量提升至某一水準以上，因此該晶圓廠目前尚未完全被利用，部分產能仍將處於閒置狀態。
相較之下，台積電在美國採用的是已獲驗證的成熟製程技術進行晶片量產，得以快速拉升產能，並迅速將晶圓廠的產能利用率推升至接近 100%。