M31提到,基於台積電N6e先進製程開發的這系列記憶體編譯器,專為AI邊緣運算與物聯網(IoT)裝置打造,進行極致低功耗最佳化設計,並提供採用LL、ULL與ELL SRAM bit cells的客製化解決方案,協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在效能與功耗之間取得最佳平衡。其中,N6e製程ULL記憶體編譯器具備高密度、高效能的SRAM與One Port Register File,並支援備援(Redundancy)、電源閘控(Power Gating)、掃描測試(Scan)、內建自我測試(BIST)MUX以及寬頻範圍Dual-rail,能實現動態電壓與頻率調整(DVFS),並採用High Sigma設計方法,確保在嚴苛邊界條件下依然穩健運作。