人類 發達集團副總裁
來源:財經刊物   發佈於 2025-09-03 08:10

電子時報:12吋SiC取代傳統氧化鋁基板?先進封裝「新材料革命」浮現

財訊新聞   2025/09/03 08:00

【財訊快報/編輯部】隨著人工智慧(AI)晶片不斷邁向更先進的製程,其運作時產生的高熱量,已成為阻礙效能提升的關鍵挑戰。近期半導體供應鏈傳出,為應對AI晶片的高散熱需求,半導體先進封裝領域有望將12吋碳化矽(SiC)基板納入考量。此技術發展,不僅為台灣的SiC產業另闢蹊徑,更有望掀起一場材料領域的革命。

得益於台灣在先進晶圓製造與封裝領域的領先地位,若未來12吋SiC基板能成功切入先進封裝領域,例如採用「晶圓對晶圓」(wafer to wafer; W2W)的高階技術,形同貼身降熱,將使台灣有機會將SiC產業與其優勢的半導體製造垂直整合,創造新價值。

材料相關供應鏈業者表示,SiC卓越的導熱性能使其成為解決AI晶片散熱問題的理想選擇。在單晶高純度下,SiC的熱傳導係數(K值)可達400~500,遠優於傳統氧化鋁散熱基板的200上下。優異的導熱性能,對於維持AI晶片在高溫下的運作效率至關重要。

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