2025/09/02 14:37  
中國在半導體製造關鍵環節的曝光機技術目前仍停留在65奈米程度，至少落後荷蘭艾斯摩爾（ASML，見圖）20年的時間。（路透資料照）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕根據外資高盛最新發布的研究報告，中國在半導體製造關鍵環節的曝光機研發仍存在瓶頸，曝光機技術目前仍停留在65奈米程度，至少落後荷蘭艾斯摩爾（ASML）20年的時間。
目前製造5奈米以下製程的晶片需要依靠極紫外光（EUV）曝光機，2奈米製程則需要用到更先進的高數值孔徑（High NA）EUV曝光機，目前這些最先進的機具只有ASML能夠製造。由於ASML的先進曝光機依賴美國原產的關鍵零件，這也使得美國政府能夠限制它們對中國的銷售。

曝光技術是在晶圓上建構精細電路的關鍵，這也使其成為晶片製造流程中的決定性瓶頸。
全球領先的晶片製造商如台積電正利用ASML的曝光機大規模生產3奈米晶片，並即將量產2奈米晶片。而中國國產的曝光機的技術水準仍停留在相對老舊的65奈米製程。
美國和荷蘭政府的禁令對中國科技產業造成深遠影響，這也使得中國本土的晶圓製造商難以取得先進的曝光機，先進製程的晶片製造水準目前仍停留在7奈米等級。
高盛在報告中指出，即便中芯國際能生產出7奈米製程的晶片，但是這些晶片極有可能還是透過ASML較舊的深紫外光（DUV）曝光機來生產，因為中國目前尚不具備製造這類先進曝光機的能力，因為這些設備的核心零組件主要來自全球供應商，尤其是美國和歐洲的供應商。