美廠首座預計明年動工,將以SoIC、CoW技術為主
圖/本報資料照片
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台積電在美國啟動先進封裝(AP)建廠規畫浮上檯面,首座先進封裝預計明年動工。據悉,已有承包業者開始招募CoWoS設備服務工程師,將派駐美國亞利桑那州。供應鏈透露,台積電美國先進封裝會以SoIC(系統整合單晶片)、CoW(Chip on Wafer)為主,後段oS(on Substrate)預計將委由Amkor進行。
在AI需求強勁帶動下,台積電加大對美投資,總金額高達1650億美元,規劃興建6座先進製程廠、2座先進封裝廠及1座研發中心,其中首座晶圓代工廠已正式量產,良率與台灣本地廠並駕齊驅。
AMD執行長蘇姿豐更透露,將於今年底收到首批由台積電美國廠生產的晶片。目前P2廠完成建設,P3廠也在如火如荼推進中。
台積電美國先進封裝廠進度亦開始明朗,承包商已為未來CoWoS進機與機台維護業務進行準備。據悉,亞利桑那州AP1廠將與P3相連接,率先導入SoIC技術。半導體業者指出,SoIC是透過仲介層整合晶片,目前已應用於AMD的MI350產品,未來蘋果M系列晶片亦將採用,提前導入SoIC旨在因應日益多元的客戶需求。
IC設計業者分析指出,AMD下一代EPYC處理器「Venice」將採用台積電2奈米製程,並搭配SoIC封裝技術;輝達(NVIDIA)預計明年推出的Rubin平台也將導入SoIC設計,其中GPU與I/O Die將分開製作,前者採N3P製程、後者則以N5B製程製造,透過SoIC封裝整合2顆GPU與1顆I/O Die,以異質整合方式達成效能與成本兼顧。
至於CoWoS封裝,將依客戶需求區分為S/L/R版本,供應鏈指出,後段oS製程將委由外部封測廠負責,美國先進封裝則專注於CoW段,不足部分再由台灣廠支援。不過包括先進封裝在內的核心技術仍會優先於台灣量產,待成熟後再轉移至美國,CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)技術仍待觀察其成熟度。
廠務業者表示,隨著P3廠建設加速,美國AP1封裝廠將緊接啟動,預計於明年下半年動工,依照時程推估,相關機台最快將於2029年進行移機與安裝。業界看好,SoIC堆疊所需之濕製程設備與CoWoS相似,弘塑、辛耘、萬潤等設備商有望同步受惠,搶攻下一波高階封裝商機。

未來預計將採SoIC晶片大廠