-
u790323 放長假2轉待命
-
來源:財經刊物
發佈於 2010-11-10 19:47
拓墣:DRAM將破台廠成本 明年產值負成長2成
精實新聞 2010-11-10 16:27:49 記者 楊喻斐 報導
拓墣產業研究所10日舉行ICT產業大預測研討會,展望DRAM產業,半導體研究中心研究員陳蘭蘭表示,爾必達、力晶(5346)相繼宣佈針對PC用標準型DRAM進行減產,的確有助於改善供需情況,不過預料本季DDR3 1Gb的價格將會跌破台系DRAM廠的成本價,最快也要等到明年第一季才可望落底,市況則要到明年下半年才會好轉。
陳蘭蘭認為,現在DDR3 1Gb平均成本價約1.5美元,本季不論是現貨與合約價仍持續看跌,並將跌破國內DRAM廠的成本價,若再往下續探,可能到了明年第一季,就連國際一線大廠的成本價都將守不住,因此爾必達選擇此時,趕在跌破成本價之前採煞車進行減產,不論是對於整體產業面或者是爾必達本身都將具有正面效應。
力晶也宣佈跟進,預計將減產10-15%,轉而提昇晶圓代工比重。陳蘭蘭也說,力晶積極發展12吋晶圓代工業務,除了驅動IC之外,也順利接到類比IC大廠的訂單,因此得以順利從標準型DRAM轉到晶圓代工業務。
陳蘭蘭表示,這一波DRAM大廠積極透過製程微縮增加產能,尤其三星電子率先成功走到4X奈米,不過PC需求卻不如預期,搭載容量並沒有跟著提升,可說是需求遠遠追不上供給增加的速度,因此PC用標準型DRAM現階段最大的問題,就是需求不振。
對於DRAM價格以及市場供需的情況,三星認為市況恐將一路壞到明年第二季;爾必達則表示,明年第一季價格將可以順利落底。陳蘭蘭個人認為,DRAM產業最快明年下半年就會出現好轉。
陳蘭蘭預估,明年全球DRAM產值將出現20%的負成長,1Gb的價格也將來到1.2美元底部,低於現階段各家DRAM廠成本價,但還是高於現金成本價格(約成本價的50%)。
從技術的角度來看,陳蘭蘭表示,國內DRAM廠在製程技術上遠落後三星,除了必須面臨跌價的窘境之外,本身製程轉換的瓶頸亦有待克服。其中台塑集團包括南科(2408)、華亞科(3474)的50奈米製程仍需要時間來拉升良率;爾必達陣營的力晶、瑞晶(4932)從6X奈米直接跳到4X奈米製程,4X奈米製程門檻難度相當的高,中間轉換的過度期,勢必也將造成營運上的壓力。