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新聞專員 發達公司課長
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來源:財經刊物
發佈於 2025-04-26 23:16
M31攜手台積電,推進2奈米eUSB2 PHY IP技術
2025-04-25 09:01:50 記者 新聞中心 報導
M31(6643)昨(24)日宣布,其eUSB2 PHY IP已在台積電(2330) 3奈米製程完成矽驗證,並於2奈米製程完成設計定案。
自2012年加入台積電開放創新平台(OIP) IP聯盟以來,M31已連續七年榮獲台積電「OIP年度合作夥伴獎」,展現與台積電深厚穩固的合作關係。M31自2020年於台積電7奈米製程首度推出eUSB2 IP解決方案,奠定其於先進高速傳輸介面IP領域的技術領導地位。此後,M31持續擴展相關產品線,涵蓋5奈米、3奈米,並推進至最新的2奈米製程。
M31總經理張原熏於2025年台積電北美技術論壇上表示,憑藉深厚的USB PHY IP開發經驗,及與台積電長期且緊密的合作關係,M31的eUSB2 IP已在多個先進製程節點成功矽驗證;此次與台積電於2奈米節點的協作進展,更顯公司在高速傳輸介面IP領域的創新與承諾,致力協助客戶導入最新協議,加速晶片設計與量產流程。
展望未來,M31表示,公司正積極開發新一代eUSB2 Version 2.0(eUSB2V2) PHY IP,目前正同步於台積電3奈米與2奈米製程節點加速研發中。其導入非對稱頻寬技術,支援TX/RX不對稱傳輸速率,有效提升整體資料傳輸效率,將頻寬從480Mbps大幅提升至4.8Gbps,同時維持僅0.5V低電壓運作。此設計特別適用於AI邊緣運算裝置,目前已獲多家頂級手機晶片大廠導入驗證。