CEA-Leti 與 ASML 攜手推動奈米級微影技術發展

法國產業雜誌新工廠(UsineNouvelle)本(2)月12日報導，法國CEA資訊技術電子研究所(Laboratoire délectronique des technologies de linformation, CEA-Leti)持續與荷蘭科技巨頭ASML合作，引進歐洲NextGen計畫資助的新型浸沒式微影掃描儀(scanner lithographique à immersion)，此款先進設備TWINSCAN NXT:2050i將可刻畫10奈米與7奈米級別的圖案，進一步提升積體電路的微縮能力。CEA-Leti憑藉其在多層貼合技術方面的專業能力，成功吸引ASML前來測試其先進技術。這項自2018年啟動的合作，旨在透過浸沒式技術，以水取代空氣來提升解析度與雕刻精密度，進而提升半導體的性能表現。

該設備於 2023 年正式引進，呼應歐洲強化半導體產業的整體發展戰略。去(2024)年7月，位於Grenoble的 CEA被歐盟選為其晶片法案(Chips Act)的五個先導試點廠區之一，負責開發低能耗晶片的試驗生產線。總投資達8.3億歐元的FAMES生產線於去年夏季正式啟用，象徵微影技術發展的重要里程碑。CEA-Leti盼藉此項合作計畫與投資，鞏固其在歐洲微電子創新領域的關鍵地位。(資料來源：經濟部國際貿易署)