2024-10-29 19:22 聯合報／ 記者簡永祥／台北即時報導

英飛凌推出全球最薄的矽功率晶圓，厚度僅20微米。圖／英飛凌提供




英飛凌繼宣布推出全球首款12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓、並在馬來西亞居林建成全球最大的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠後，今（29）日再次在半導體技術領域取得新的里程碑。英飛凌在12吋直徑的大規模半導體晶圓廠取得突破性進展，製造出迄今最薄的矽功率晶圓，晶圓厚度僅20微米，比人的頭髮還要細，是目前最先進晶圓厚度的一半。

英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示，「這款全球最薄的矽晶圓展現了我們致力於透過推動半導體技術的發展，為客戶創造非凡的價值。英飛凌在超薄晶圓技術方面的突破標誌著我們在節能功率解決方案領域邁出了重要一步，並且有助於我們充分發揮全球低碳化和數位化趨勢的潛力。憑藉這項技術突破，英飛凌掌握了Si、SiC和GaN這三種半導體材料，鞏固了我們在行業創新方面的領先優勢。」


這項創新將有助於大幅提高AI資料中心、消費、馬達控制和運算應用中功率轉換解決方案的能源效率、功率密度和可靠性。由於晶圓厚度減少了一半，基板電阻較原本基於40-60微米厚的傳統半導體晶圓解決方案降低了50%，因此電源系統中的功率損耗可減少15%以上。對於高端AI伺服器應用來說，電流增大會推動能源需求上升，因此，將電壓從 230 V 降低到 1.8 V 以下的處理器電壓，對於電源轉換來說尤為重要。超薄晶圓技術大大促進了基於垂直溝槽 MOSFET 技術的垂直功率傳輸設計。這種設計實現了與AI晶片處理器的高度緊密連接，在減少功率損耗的同時，提高了整體效率。

該技術已獲得客戶認可，並被應用於英飛凌的整合智慧功率級（DC-DC轉換器）中。英飛凌預計在未來三到四年內將取代現有的傳統晶圓技術用於低壓功率轉換器。這項突破進一步鞏固了英飛凌在市場上的獨特地位。英飛凌目前擁有全面的產品和技術組合，覆蓋了基於Si、SiC和GaN的元件，這些元件是推動低碳化和數位化的關鍵因素。英飛凌將在2024年慕尼黑國際電子元器件博覽會上公開展示首款超薄矽晶圓。
英飛凌推出全球最薄的矽功率晶圓，厚度僅20微米。圖／英飛凌提供