2024-09-22 11:57 經濟日報／ 記者周克威／台北即時報導

外資最新報告直言記憶體「寒冬將至」，國內法人機構指出，今年下半年消費電子需求未如預期回溫，目前現貨價仍低於合約價，顯示未來合約價有壓。（路透）




外資最新報告直言記憶體「寒冬將至」，國內法人機構指出，今年下半年消費電子需求未如預期回溫，目前現貨價仍低於合約價，顯示未來合約價有壓；今年記憶體供應商專注於新世代高階產品量產與銷售，但國內廠商並無HBM相關產品，且消費性記憶體不佳，因此對相關族群維持中立看法。

外資最新報告直言記憶體「寒冬將至」，DRAM市場恐從周期性高峰回落，預期最快將於第4季反轉向下，供過於求會一路延續至2026年。雖然AI需求相對仍強勁，但傳統終端市場近期已惡化或保持疲軟，庫存持續積累，加劇供需失衡狀況、導致價格下滑，第4季訂價環境將更具挑戰，預期恐於2025年出現趨勢逆轉，DRAM將一路供過於求至2026年。


法人機構表示，據研調機構統計，第3季DRAM合約價季增8~13%，受惠通用型伺服器需求復甦，DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續漲價態度，第3季DRAM均價將持續上揚8~13%，但Conventional DRAM漲幅為5~10%，較第2季漲幅略有收縮。

第3季智慧手機及CSPs增加庫存，且將進入生產旺季，因此預計智慧手機及伺服器將帶動記憶體出貨量增加。記憶體模組廠從去年第3季後開始積極增加DRAM庫存，到今年第2季庫存水位已上升至11~17周。然下半年消費電子需求未如預期回溫，如智慧手機領域已出現整機庫存過高的情況，筆電市場也因消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場繼續萎縮。

因此，以消費產品為主的記憶體現貨價格開始走弱，第2季較第1季下跌超過30%。目前現貨價仍低於合約價，顯示未來合約價有壓。目前還未明確觀察到AI手機或AI PC在未來有合理的應用出現，即使滲透率因平台商推廣而有所提高，也難以帶起全面換機潮，因此無法帶動DRAM價格。

2025年預期DRAM價格會上揚，原因是HBM3e（第五代高頻寬記憶體）滲透率持續提升拉高均價，及供給端缺乏新產能而有所限制，但如果消費性需求持續疲軟，DRAM價格上漲的幅度將低於預期。

今年記憶體供應商專注於新世代高階產品的量產與銷售，各家業者增加eSSD與HBM產品供給，使各大廠ASP上揚，但國內廠商並無HBM相關產品，且消費性記憶體不佳，因此對相關個股持中立看法。