2024/09/07 05:30  
前三星高層崔珍奭，五日又因將三星核心晶片技術「打包洩漏」給中國的新指控，再度遭到羈押。（路透）
〔編譯魏國金／綜合報導〕之前被控竊取三星電子開發半導體機密而遭起訴的前三星高層崔珍奭，五日又因將三星核心晶片技術「打包洩漏」給中國的新指控，再度遭到羈押；此案凸顯南韓在打擊產業間諜與阻止中國在晶片製造上取得進展的努力。
韓國朝鮮日報報導，首爾地方法院五日對涉嫌違反「防止不正當競爭與保護商業秘密法」的崔珍奭、吳姓前三星電子首席研究員舉行拘留前審訊，判定「有潛逃可能」，因此簽發拘留令。
報導指出，崔、吳兩人涉嫌將包含二十奈米晶片製程所需的溫度、壓力等六百多道製程的核心資料，洩漏給中國成都高真科技。根據首爾警察廳產業技術安保調查隊掌握的訊息顯示，這兩人疑似將「三星電子的二十奈米DRAM晶片獨家技術打包洩漏」。
現年六十六歲的崔珍奭曾任三星電子常務、三星電子技術開發部首席研究員，以及海力士半導體（現為SK海力士）副社長。二○二○年他與成都市政府合資成立成都高真科技公司；二○二三年被控竊取三星電子晶片廠設計圖，意圖在中國「複製」三星二十奈米DRAM廠而被拘捕，引發譁然。
路透報導，自去年七月以來，崔珍奭成為韓國備受矚目的產業間諜審判對象，十一月獲得保釋。他的律師金必成（音譯）表示，崔否認任何不法，他被控竊取的資料都是可公開取得的；至於最新控訴，崔珍奭還未被檢方起訴。