2024/07/02 18:10  
三星近期召開全球戰略會議，將3奈米良率提升至60%，以縮小與台積電差距訂為優先要務之一。（法新社）
〔編譯魏國金／台北報導〕韓國朝鮮日報報導，三星電子近日召開為期兩天的全球戰略會議，討論今年下半年半導體業務，據悉新任裝置解決方案（DS）事業群首長金永鉉修改戰略目標，將取得輝達高頻寬記憶體（HBM）驗證，以及提升代工競爭力，縮小與台積電差距列為優先要務。
報導說，這是5月甫上任三星DS事業群，負責半導體事務的副會長全永鉉主持的首場全球戰略會議。該會議在三星的京畿道華城廠舉行，出席的重量級人物包括記憶體部門首長Lee Jung-bae、晶圓代工業務首長Choi Si-young以及大型積體電路系統部首長Park Yong-in。會議第1天與會人士對三星市場地位，包括其根基業務記憶體的下滑進行檢討。
報導指出，記憶體議題的討論主要集中在HBM，特別是第5代HBM通過輝達品質驗證以及處理第6代HBM技術挑戰的策略。一名消息人士透露，「在全副會長上任當月，他就接獲當前發展計畫挫折的詳細報告；該會議密集處理這些議題，並制定新的中期發展計畫」。
在代工方面，會議的討論圍繞在今年下半年量產路線圖與良率目標。代工部門將目標設定在第2代3奈米製程良率達60%，並於今年稍後量產。該目標尋求能與台積電當前3奈米製程60%至70%的良率相提並論，並希望透過其專有的閘極全環繞（GAA）製程確保價格競爭力。
三星的半導體部門今年第1季轉虧為盈，其去年虧損15兆韓元，在第1季營運利潤達1.91兆韓元後，該公司預計第2季營利超過4兆韓元，儘管計畫今年第1季量產第5代HBM，但尚未實現大量銷售。分析師表示，若第3季取得輝達驗證，將大幅提升獲利成長。