2024/06/30 18:59  
艾司摩爾預定2030年推出最先進的Hyper-NA EUV。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）預定2030年推出Hyper-NA極紫外光機（EUV），表示隨著半導體製程進入1奈米以下的埃米（angstrom）時代，該先進EUV是必要設備，不過朝鮮日報指出，該設備高昂的成本恐讓台積電、三星與英特爾望而卻步。
報導說，艾司摩爾去年首度推出性能較現有EUV更佳的高數值孔徑（high-NA）極紫曝光機，如今又將針對1奈米以下製程，於2030年推出Hyper-NA EUV，若按此計畫，台積電、三星與英特爾在制定中長期戰略時將出現更多變數，因為昂貴的設備價格是個負擔。
目前每台EUV價格約1.81億美元（59億台幣），而新一代的high-NA EUV倍增至2.9億至3.62億美元（94.31億至117.72億台幣），預期Hyper-NA EUV則可能超過7.24億美元（236億台幣）。
報導說，台積電預料將盡可能提升既有的EUV設備，並以多重圖形化（multi-patterning）方式使用該設備，同時評估導入額外設備的規模。
1名半導體業界主管說，過去台積電相較於三星，較晚採用EUV，其透過使用既有設備升級多重圖形化技術，進而降低採用新設備的投資負擔。
他說，台積電對多重圖形化技術特別有興趣，由於台積電累積了長久的專業知識，並以既有EUV建立了多重圖形化製程，將盡可能延後導入high-NA與Hyper-NA EUV。事實上，台積電多次表示新一代的high-NA EUV太貴。台積電業務開發資深副總理張曉強曾表示，1.6奈米的開發不一定使用high-NA。
報導說，三星也考慮採用high-NA設備，但隨著Hyper-NA的出現，正調整其中長期路線圖。1名消息來源說，「現在採用high-NA，對於須考量1奈米以下製程的中長期計畫而言，或許是糟糕的選擇」。
他補充，「鑑於Hyper-NA的出現，盡可能使用現有EUV，並跳過high-NA，直接轉向Hyper-NA可能也是一種方法；不過這假設是Hyper-NA設備已達到某種程度的可靠」。
英特爾是第1個採用high-NA EUV的晶圓廠，去年其代工業務虧損70億美元，今年第1季也面臨紀錄性的營運虧損，原因之一是率先採用新一代EUV設備造成的成本負擔。
艾司摩爾指出，high-NA EUV將使英特爾能夠生產2奈米至14埃米（1.4奈米），以及10埃米（1奈米）至7埃米（0.7埃米）製程晶片。
該公司說，Hyper-NA將是未來埃米級製程的必要設備，「許多公司將採用Hyper-NA EUV，因為它可降低多重圖形化製程的風險」。