三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)21日宣佈，業界首見30奈米製程2Gb DDR3已經開始量產，預估4Gb密度的DDR3 30奈米製程產品也將在今年底量產。三星表示30奈米製程晶片的整體生產效率較50奈米等級高出155%。(也就是說它價格壓到成本價,台灣的製程鐵定虧損)
三星表示與新款多核心處理器搭配使用的30奈米製程4GB DDR3其執行速度可較兩組50奈米2GB DDR3解決方案快60%，並且可削減65%的耗電量。
三星電子5月17日宣布，2010年18兆韓圜的設備資本支出當中11兆韓圜將投資在半導體。今年三星旗下記憶體部門的資本支出總額由原 先計畫的5.5兆韓圜提升至9兆韓圜，新增的投資額將用來興建DRAM、NAND型快閃記憶體與次世代記憶體產品的生產線「Line-16」。