提升3D IC整合技術聯電、爾必達、力成合作搶商機2010/06/22-李洵穎
聯電、爾必達和力成共同召開技術協議簽約記者會，右為爾必達社長坂本幸雄，中為聯電執行長孫世偉，左為力成董事長蔡篤恭。古榮豐攝
爾必達(Elpida)、力成科技與聯華電子21日共同宣布將攜手合作，針對包括28奈米的先進製程，提升3D IC的整合技術。由於已有客戶表達3D IC整合需求，因此上述3家公司共同開發技術，運用爾必達的DRAM技術，以及聯電子的先進邏輯技術，搭配力成的封裝技術，以及共同開發邏輯IC/DRAM的3D IC完整解決方案，預計2012年應可望完成開發、進入量產。
聯電、爾必達和力成的合作為視為業界在異質IC進行整合的業界模式。3家公司透過合作開發技術，以TSV(Through Silicon Vias；TSV)製程為開發重心，建立邏輯IC/DRAM的完整解決方案。3家公司合作的模式是由聯電和爾必達在設計階段進行討論，而後在TSV製程、封裝和測試階段則由3家公司共同協商決定。

聯電執行長孫世偉表示，TSV製程未來的應用領域將會十分寬廣。古榮豐攝
聯電執行長孫世偉表示，TSV製程未來將是全面性應用，雖然目前處於剛開始的階段，應用於CMOS、MEMS和功率放大器等，但未來邏輯IC會和Mobile DRAM整合，邏輯IC如繪圖晶片也可以和DRAM進行整合，以迎合高速、高效能的要求，未來應用領域將會十分寬廣。
聯電副總經理暨先進開發處處長簡山傑表示，該公司在2009年10月成功產出40奈米製程高效能客戶產品。在28奈米製程方面，聯電的後閘極(gate-last)高介電係數／金屬閘極(HK/MG)研發預計在2010年年底即可準備就緒，進行客戶矽智財驗證。隨著隨著CMOS製程微縮帶來的技術與成本上的挑戰，採用TSV技術的3D IC便成為摩爾定律之外的另個選擇。
他認為，目前已有客戶表達對28奈米TSV 3D IC的需求，因此估計2011年中技術就可以完成提供給第1家客戶，至於生產點考量技術成熟度、市場接受度，他預期2012年很有可能進行量產。
力成董事長蔡篤恭說，該公司在TSV製程上已和爾必達討論2年，一直在記憶體產品上著墨。隨著產品功能益趨多元，同時講求高速、高效能，若沒有邏輯IC前段晶圓製程的公司加入，對力成、爾必達後續發展TSV是有困難的。他認為愈早準備好TSV技術，就能愈早取得市場的主導地位。