轉盈為虧震撼市場 美光財報重點一次看
群益投顧 2022.12.22
美光第一季獲利轉盈為虧。圖/美聯社
FacebookLineTelegramTwitterWeChatPrintFriendlyMicron(MU US)1QFY23(09/2022~11/2022)財報符合預期,獲利轉盈為虧,對2QFY23展望保守,獲利持續虧損,下修資本支出,預估2023年景氣將呈現U形反轉,短期記憶體需求尚未回溫,預期DRAM相關廠商獲利仍持續下滑。
Micron 1QFY23(09/2022~11/2022)財報符合預期,獲利轉盈為虧:
個人電腦(PC)製造商和其他客户需求疲軟,資料中心(data center)SSD/client SSD、雲端、工業客戶因為總經的不確定性開始調整庫存。12/21/2022盤後Micron(MU US)發布該公司1QFY23(09/2022~11/2022)營運概況,Micron1QFY23營收為40.85億美元,QoQ-38.51%,符合公司之前預估營收40.0~45.0億美元,QoQ-32.26%~-39.79%的財測,也略低於市場分析師預估平均41.4億美元水準。
1QFY23Micron DRAM及NAND Flash佔營收比重分別為69%和27%,營收衰退分別為QoQ-41%及QoQ-35%,ASP皆QoQ-21~-23%。出貨量方面,DRAM bit shipment QoQ-24~-26%,NAND Flash是QoQ-14~-16%。Micron1QFY23整體毛利率為22.86%,較4QFY22減少17.42個百分點,毛利率低於公司原先預期24.0~26.0%,Micron整體1QFY23稅後虧損0.39億美元,稅後EPS-0.04美元。稅後EPS符合公司財測-0.06~+0.14美元之間的預期,但低於市場分析師平均-0.02美元。
Micron在12/21/2022美股盤中漲0.51美元,漲幅為1.01%,收51.19美元,盤後Micron盤後約下跌1.08美元,跌幅為2.11%,股價約為50.11美元。
Micron FY2023(12/2022~11/2023)資本支出近一步降至70~75億美元左右,YoY-37.40~41.57%:
市場需求疲軟,產業調整趨勢從消費者市場蔓延至資料中心、工業及汽車等市場,因此在DRAM和NAND的供需環境不佳下,Micron正積極採取措施降低供應增長,FY2023晶片製造設備支出(wafer fab equipment)將比FY2022削減近50%。Micron4QFY22資本支出為35.8億美元,FY2022年全年為119.8億美元,FY2023資本支出overall capital spending將大幅降至(down meaningfully)70~75億美元左右,YoY-37.40~41.57%,較上次法說預估80億美元更少,1QFY23資本支出為25億美元。目前來看FY2024WFE將低於FY2023,不過construction spending會向上成長。為減少供給,Micron已減少DRAM和NAND Flash投片20%,若FY2023市況回溫,將以現有低價庫存做供給。
Micron對長期擴張計劃許下承諾不變,Micron10/2021宣布考慮在10年內全球投資超過1500億美元,用於記憶體領先技術製造和研發。另外在2025~2026年將需要為DRAM增加新的晶圓產能,以繼續滿足成長需求。但目前決定進行短期調整,以保護利潤、避免供給過剩。不過會運用晶片法案(Chips and Science Act,CHIPS Act)給予的補助,在2030年底前投資400億美元擴充美國半導體製造產能,這是Micron之前宣布的1500億美元全球投資目標的一部分。Micron持續加碼投資台灣,為台灣最大外資企業,也將導入最先進1αDRAM製程,Micron1α製程DRAM也用於低功率通訊應用如5G智慧手機。Micron也將開始在日本生產最先進的次世代記憶體,計劃在2022年後半開始利用日本廣島工廠生產被稱為1β製程的次世代DRAM,預期將獲得日本政府援助的情況下,相關細節會待後續進行協商。
06/02/2021Micron正式量產1α製程LPDDR4x DRAM,並供應AMD和Acer。1α製程LPDDR5已於2Q22出貨,成出貨佔比最大的製程,而1β將在2022年底量產。Micron1α製程DRAM相當於Samsung和SK Hynix14nm製程DRAM。目前Micron是世界第一家量產14nm製程DRAM公司。Micron最新技術是不使用EUV曝光設備,也將續用DUV曝光設備就生產1β製程記憶體。ASML EUV曝光設備每部造價高達1.5億美元,生產的記憶體會有較高成本。但Micron採用DUV曝光設備就能生產記憶體產品,產品成本競爭力將更具優勢。隨著DRAM製程技術難度越來越高,Samsung和SK Hynix正將EUV技術應用於10nm等級,由於景氣不佳,Micron延後1γ至2025年,2025年才有可能導入EUV。
NAND Flash供應商2022~2023年進入200層以上(200-plus)設備競爭,Samsung和Micron預估將是首批開始量產200層的公司。兩家公司以及SK Hynix目前都在量產176層NAND,良率爬升順利,已佔公司手機NAND Flash位元出貨量90%,232層也順利量產。12/15/2022Micron宣布,Micron2550NVMe SSD已正式向全球PC OEM客戶出貨,主要應用於主流筆記型電腦和桌上型電腦。2550SSD建立在PCIe Gen4架構為基礎,及採用領先業界的232層堆疊NAND Flash技術。2550SSD提供22×80mm、22×42mm和22×30mm三種外型規格,以及256GB、512GB和1TB三種容量品項。SK Hynix預計將在2023年轉移到196層。
Micron2QFY23(12/2022~02/2023)持續虧損:
經濟衰退的擔憂導致消費者和企業紛紛削減支出,並拖累電腦和智慧手機需求,當中又以中國最為疲軟,因此客戶減少記憶體的採購,調整記憶體庫存,因此Micron對2QFY23持續持保守的態度,營收、毛利率都將顯著季減。預估Micron2QFY23營收為36.0~40.0億美元(QoQ-11.87%~-2.08%),符合市場預估38.4億美元。而毛利率將較1QFY23明顯下滑,將介於8.0~11.0%,稅後EPS-0.72~-0.52美元,低於市場分析師平均-0.32美元。
產業的位元需求在06/2022開始呈現大幅下滑,主要是受到個人電腦、智慧型手機等消費市場終端需求轉弱影響。雖然Micron仍看好雲端和企業資料中心應用對記憶體的強勁需求,但客戶庫存水位仍高於疫情前,經濟衰退拖累資料中心需求,客戶將先消耗庫存,進而影響需求。基於市況出現變化,Micron立即採取行動降低供應。Micron計畫減少2023會計年度位元供應成長水準,並將利用庫存供應2023年部分的市場需求。這種方式將減少2023會計年度晶圓廠設備資本支出。Micron目前預期2023會計年度晶圓廠設備資本支出將降至70~75億美元。由於產業面臨挑戰,公司將在FY2023年削減10%的員工人數,高管薪酬也將下調。
Micron預期2022年DRAM和NAND的需求增長(bit demand growth)為mid single digit percentage。預估2023年DRAM和NAND的需求增長分別為YoY+10%、YoY+20%,在接下來的幾個月裡,客戶庫存水準將會進一步改善,因為新的CPU平台即將推出,及中國經濟的重新開放,中國的需求開始增長,預計記憶體的需求將逐步回溫。長期來看,預計DRAM bit demand growth CAGR14~16%,NAND CAGR20%,較2022年初預期下降,主要是個人電腦和智慧手機市場以及雲計算的長期強勁增長有所放緩。預估2023年DRAM、NAND Flash成長將低於長期CAGRs,景氣將呈現U形反轉,短期記憶體需求尚未回溫,相關廠商獲利仍持續下滑。
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