三星宣佈未來3奈米以下都要用環繞閘極(GAA)製程來做，三星趕進度，台積電當然也不能洩氣，台積電攜手台大與康奈爾大學，透過微波爐突破2奈米環繞閘極(GAA)製程困境，這是怎麼做到的呢？今天讓我們來看看吧！



00:00 開場大綱 | Intro Summary
03:06 電晶體為什麼會產生短溝道效應？
05:40 什麼是半導體的摻雜(Doping)？
07:20 什麼是半導體的退火(Annealing)製程？
08:17 如何使用微波爐製作2奈米晶片？
11:01 如何利用微波爐突破環繞閘極(GAA)的製程困境？
13:00 結論 | Conclusion