【中央社╱新竹25日電】 2010.03.25 10:55 pm
南韓記憶體大廠三星京畿道器興 (Giheung)廠區24日傳出停電意外，激勵今天包括標準型DRAM、利基型DRAM及NAND Flash等記憶體產品現貨價全面大漲。
根據集邦科技調查，標準型動態隨機存取記憶體(DRAM)的DDR3 1Gb品牌顆粒現貨均價今天上漲2.46%，達3.08美元；DDR2 1Gb eTT(有效測試顆粒)均價也一舉突破3美元關卡，達3.07美元，上漲3.43%。
利基型DRAM方面，DDR 512Mb顆粒現貨均價達2.16美元，更大漲7.34%；DDR 256Mb顆粒現貨均價為1.05美元，也上漲2.54%。
儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)部分，市場主流的16Gb MLC及32Gb MLC均價分別攀升至4.08美元及7.36美元，上漲3.34%及1.35%。
DRAM業者表示，三星廠停電 1小時，對於產出影響應有限，因此今天記憶體產品價格走揚無法確定是因三星廠停電所帶動；目前市場需求依然強勁，應是激勵產品價格走高的主因之一。
Flsah 相關業者則指出，儘管三星停電實際所受衝擊程度仍不明朗，不過，在目前市場需求熱絡下，三星傳出停電意外，確實對於價格走勢具正面效果。
【2010/03/25 中央社】@ http://udn.com/