2010/03/22 21:10 鉅亨網
【鉅亨網記者葉小慧 台北】 全球經濟景氣復甦，DRAM近期需求強勁，已帶動今 (22)日DDR3 1Gb現貨價漲回3美元。研究機構集邦科技 表示，DRAM產業從今年到2012年供給面成長有限，而DR AM需求強勁，DRAM產業可望走向正向循環，未來3年連 續獲利可期。
DRAM景氣每3年一循環 今年踏入正向循環
DRAM產業過去十幾年來，幾乎每3年為一景氣循環 周期，以DRAM廠的營業獲利率分析，2001至2003年DRAM 產業連續3年虧損，2004至2006年轉為連續3年獲利，20 07至2009年又落入連續3年虧損的循環，今年，DRAM廠 終於擺脫3年虧損，進入獲利循環開始。
集邦分析，由於全球經濟景氣復甦，Window 7帶動 消費者、企業換機潮，加上資本支出成長有限，製程轉 進出現瓶頸，DRAM可望再走向正向循環，未來3年連續 獲利可期。
景氣復甦中迎向換機潮 未來3年PC成長12-17%
去年下半年開始，全球景氣逐漸復甦，國際貨幣基 金(IMF)上調今年全球GDP預測，從3.1%上修至3.9%，世 界銀行(World Bank)最新預測，今年中國GDP增長率將 超過去年的8.7%為9.5%，顯示今年中國仍為全球性經濟 成長的動能。
根據消費者信心指數顯示，歐洲及日本最壞的經濟 谷底已經出現，經濟亦已進入緩步復甦。同時，各國亦 在今年極力降低失業率，透過各項方案增加就業機會， 因此經濟復甦及失業率下降，可望帶動未來幾年電腦銷 售成長率。
此外，微軟而在2007年推出的Windows Vista未能 成功帶動換機潮，但在去年10月推出Windows 7，可望 帶動消費者及企業PC換機潮。集邦科技預計，未來3年 每年PC出貨量成長將達12-17%。
智慧型手機、iPad正夯 行動記憶體需求強勁
手機市場方面，集邦預估，智慧型手機今年成長率 將達28.6%。而智慧型手機出貨量成長，激勵Mobile DR AM需求大幅成長。
集邦分析，去年智慧型手機搭載的Mobile DRAM主 流容量為128MB，今年新款智慧型手機所搭載mobile DR AM容量高達256MB。而下世代的智慧型手機搭載的Mobil e DRAM規格再度提高至512MB，出貨量及搭載量皆大幅 成長的情況下，預計Mobile DRAM為今年DRAM需求成長 另一強大動能。
蘋果電腦(Apple) (US-APPL) 的iPad為今年Mobile D RAM需求成長的另一動能，iPad預計今年4月3日在美國 開賣，集邦預估今年將熱賣750萬台。
由於iPad預計搭載Mobile DRAM容量至少為512MB， 對行動記憶體總需求成長將再往上提升，也促使三星(S amsung)(005930-KR)、海力士(Hynix)(000660-KR)、爾 必達(Elpida)(6665-JP)等DRAM廠，大幅增加Mobile DR AM的投片量，排擠到標準型DRAM的產能。
8吋廠房幾乎全面去化 未來2年難以大增產能
2008年全球經濟下半年面臨金融風暴強襲，導致消 費性需求急凍，DRAM廠商均嚴重虧損，大部分DRAM廠商 亦在2008第4季開始減產，並進行8吋廠房去化。
今年首季，雖全球景氣已逐漸復甦，DRAM廠商亦逐 漸恢復產能，然而，集邦指出，目前8吋產能已幾乎全 面去化，全球DRAM產能仍較2008年第2季產能高峰減少2 0%。
由於DRAM廠商新蓋廠房需要2至3年時間才能設備移 入，未來2年內新增的產能，除了先前已蓋好廠房的三 星將新增40K產能，以及南科預計新增的15K產能外，未 來2年難以大幅增加產能。
資本支出投入有限 未來3年穩健成長
DRAM廠商在2008年第4季虧損大幅擴大，面臨了營 運資金短缺，及無力償還債務的危機，為求生存，各DR AM廠商皆大幅降低2009年資本支出。今年資本支出在DR AM廠商連續3年虧損下，能投入的金額也將有限。
集邦指出，目前DRAM廠商計劃今年資本支出為83.6 億美元，折合新台幣約2660億元，雖已較去年成長93% ，但與DRAM廠商歷史資本支出相較，仍屬較低水位；預 計未來3年DRAM廠商在獲利的狀況下，資本支出將會穩 健成長。
轉進製程速度延後 位元成長率達40%
在製程轉進設備方面，50奈米以下製程皆需使用浸 潤式機台，除DRAM產業外，其餘半導體廠商如台積電(T SM-US (2330) 、聯電 (US-UMC) (2303) 亦需使用到 浸潤式機台。
集邦指出，目前浸潤式機台供應商艾斯摩爾(ASML) 市占率高達9成以上，在滿單的狀況下，各DRAM廠商拿 到浸潤式機台時間大多具不確定性，也使DRAM廠在製程 轉進速度，受限於機台取得時程而可能延後。
在製程轉進方面，目前僅三星已量產4x奈米，海力 士及爾必達則計畫今年第2季才量產4x奈米，一旦製程 轉進稍有不順，將造成今年大缺貨。
明年各DRAM廠商即使順利轉進40奈米製程，但進入 4x奈米以下製程難度加大，投資也要再增加，集邦預估 ，2011-2012在產能擴充有限，40奈米以下製程轉進不 易下，年DRAM位元成長將最高達40%左右。