領先美光!SK海力士開發最先進NAND晶片
工商時報鍾志恆、數位編輯 2022.08.03
全球第二大記憶晶片力士在3日宣布，已成功開發出最先進的NAND快閃記憶晶片。圖／美聯社

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全球第二大記憶晶片力士在3日宣布，已成功開發出最先進的NAND快閃記憶晶片，是由238層記憶盒（memory cell）組成，領先對手美光。
海力士形容其238層是「業界最頂尖」的NAND快閃記憶晶片。美光上周表示開始出貨的NAND快閃記憶晶片為232層。
238層技術讓海力士生產出目前全球體積最小的NAND晶片，但數據傳輸速度卻較上一世代的NAND晶片快50％，並且在讀取數據時所消耗的能量減少21％。
海力士計劃從明年上半年開始大量生產238層NAND晶片。海力士的NAND晶片研發負責人Jungdal Choi稱強調公司會不斷創新，以突破技術上的挑戰。
英特爾旗下的NAND事業被海力士收購後更名為Solidigm，與海力士合計取得全球NAND晶片市占率達18％，僅次於三星電子的35.3％和鎧俠（Kioxia）的18.9％。
（工商時報 鍾志恆）
技術靠美國、市場在大陸，韓媒：南韓半導體面臨兩難
不過，韓媒BusinessKorea報導，由於記憶體晶片價格快速下跌，加上北京政府威脅韓國不要加入美國主導的「晶片四方聯盟」（Chip 4），南韓半導體技術靠美國而市場卻仰賴大陸，正面臨兩難壓力。值得注意的是，美國眾議院7月28日通過晶片法案，其中一項「10年條款」規定獲得補貼的業者，10年內將不得於大陸或其他不友善國家建廠，而該法案將對SK 海力士造成嚴重衝擊，因為海力士同樣計劃在美國建立記憶體封裝設施。
（中時新聞網 邱怡萱）