【經濟日報╱記者曹正芬／即時報導】 2010.03.13 05:00 pm
恩智浦半導體 (NXPSemiconductors)近日宣佈推出新型第四代低VCEsat BISS (Breakthrough in Small Signal )電晶體系列的前八款產品。
該產品系列有兩種最佳化的選擇：超低VCEsat電晶體及高速開關電晶體。其電壓範圍為20V到60V，採用小尺寸SMD封裝SOT23(2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些電晶體被稱為突破性小訊號 (BISS，以下簡稱BISS)電晶體，正如其名，它們為減少導通狀態電阻 (on-State-Resistance)建立新的標準，並使開關時間降低到絕對最小值。超低VCEsat系列下的電晶體能在1A時實現50 mV的超低飽和電壓。四種新的高速開關電晶體使開關和儲存時間降低至125 ns。新型BISS-4產品顯示雙極電晶體技術是開關應用的最佳選擇，能達到高性能和降低開關損耗。
恩智浦半導體小訊號電晶體產品行銷經理Frank Thiele表示：「透過推出具有傑出低電阻基板技術的第四代BISS電晶體，恩智浦為採用小尺寸SMD封裝的低VCEsat電晶體建立了產業發展方向，並為雙極電晶體技術開拓新的應用。」
新款BISS-4電晶體的特色為高電路效率、低功率損耗，相較於相同封裝的標準電晶體則能產生較低的熱量。這些新產品的DC集電極 (collector)電流為4.3A (最高值為ICM 8A)，採用小型SOT23封裝，其性能是採用SOT23的上一代低VCEsat電晶體的兩倍。新款BISS-4 電晶體是為大量消費者、通訊、運算和汽車應用中的負載開關、開關模式電源供應 ( Switch Mode Power Supply;SMPS)和電源管理功能所設計。
【2010/03/13 經濟日報】@ http://udn.com/