美光日本廠跳電「未見市場急單效應」 研調：DRAM價格仍將季跌10%




楊絡懸
·Yahoo財經特派記者
2022年7月13日 週三 下午6:06


記憶體廠美光（Micron）位於日本廣島廠於7月8日發生跳電意外，該廠約占美光月產能30%，不過跳電發生時機台同時啟動不斷電系統，跳電時間約5至10分鐘，因此估受影響產能有限。

美光（Micron）位於日本廣島廠發生跳電意外。圖／AP
根據研調機構TrendForce調查，美光廣島廠主要投產製程為1Z奈米，投片比重為50%以上；其次為1Y奈米，占比近35%。跳電發生時，機台同時啟動不斷電系統，但因壓降影響，機台跳電時間約5至10分鐘，加上重啟及檢查時間，預估受影響產能有限。
美光廣島廠主要是R&D研發中心，下一代製程1β奈米製程將於該廠內投產，之後轉往台中廠導入量產。觀察產品別，現階段以產出智慧型手機相關的動態隨機存取記憶體（DRAM）為主。
TrendForce表示，自年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱，使得各原廠的記憶體庫存皆位於較高水位，且跳電對美光產能影響較低，美光可透過庫存來滿足客戶端需求，故對整體DRAM供需市場並無造成衝擊。
另外，TrendForce也觀察到，在美光廣島廠跳電發生至今，卻未見市場急單反映，價格端也沒有止跌訊號，故此次跳電並不會扭轉記憶體供過於求的現況，將維持下半年的價格預估，第三季DRAM價格將季跌約10%的看法不變。（審核：呂俊儀）