個股：台亞(2340)搶進GaN第三代半導體領域，明年底產品送樣
2022/06/24 10:04 財訊快報／記者巫彩蓮報導
日亞化掌握台亞(2340)經營權，重新定位經營策略由光電朝向矽電多元化布局，去年籌建積亞半導體(ProAsia Semiconductor CorporationPASC)專注在碳化矽(SiC)高功率元件，今年下半年則是添購關鍵設備，搭配原有磊晶(Epi)反應爐，投入氮化鎵(GaN)磊晶、元件研發及生產，預計明年底向客戶送樣進行認證。
日亞化、Wolfspeed為全球第三代半導體領先廠商，去年日亞化全面主導台亞董事會，確立感測半導體科技發展方向，除了轉投資積亞半導體建廠之外，也將投入GaN磊晶、元件「類IDM」廠布局。
台亞總經理衣冠君表示，公司過去十幾年在三五族化合物累積許多生產經驗值，也有Epi反應爐設備以及人才，要跨入GaN領域，只欠缺關鍵設備，透過與上游設計者、下游封裝合作，可在短期間開發出高電子遷移率電晶體(Power HEMT)樣品。
台亞以GaN為基礎的第三代半導體功率器件作為主要產品，其相對於矽基元件可以耐更高的電壓，比起SiC元件有更低的功耗，未來將結合GaN與SiC發展出高頻高效的射頻器件及模組，衣冠君分析，GaN應用更為寬廣介於矽、SiC之間，亦可取代IGBT，可用於光伏、充電等市場，SiC在高功率車用市場有重疊性，目前規劃投資2億元添購關鍵設備，再搭配現有反應爐設備，即可建立月產能500片GaN產能，去年所成立的積亞半導體以SiC高功率元件為主，初期規劃產能約3000片。